Größe: 150 x 50 Pixel 
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DGA75H120M2T
WXDH
75A 1200V Halbbrückenmodul
1 Beschreibung
Diese Bipolartransistoren mit isoliertem Gate verwenden ein fortschrittliches Trench- und Fieldstop-Technologiedesign und bieten eine hervorragende V CEsat- und Schaltgeschwindigkeit sowie eine niedrige Gate-Ladung.Was dem RoHS-Standard entspricht.
2 Funktionen
● FS Trench-Technologie, positiver Temperaturkoeffizient
● Niedrige Sättigungsspannung: V CE(sat) , typ = 2,0 V bei I C =75 A und T j = 25 °C
● Extrem verbesserte Lawinenfähigkeit
3 Anwendungen
Schweißen
USV
Dreistufiger Wechselrichter
AC- und DC-Servoantriebsverstärker
| Typ | VCE | Ic | VCEsat,Tj=25℃ | Tjop | Paket |
| DGA75H120M2T | 1200V | 75A (Tj=100℃) | 2,0 V (typisch) | 175℃ | 34MM |
75A 1200V Halbbrückenmodul
1 Beschreibung
Diese Bipolartransistoren mit isoliertem Gate verwenden ein fortschrittliches Trench- und Fieldstop-Technologiedesign und bieten eine hervorragende V CEsat- und Schaltgeschwindigkeit sowie eine niedrige Gate-Ladung.Was dem RoHS-Standard entspricht.
2 Funktionen
● FS Trench-Technologie, positiver Temperaturkoeffizient
● Niedrige Sättigungsspannung: V CE(sat) , typ = 2,0 V bei I C =75 A und T j = 25 °C
● Extrem verbesserte Lawinenfähigkeit
3 Anwendungen
Schweißen
USV
Dreistufiger Wechselrichter
AC- und DC-Servoantriebsverstärker
| Typ | VCE | Ic | VCEsat,Tj=25℃ | Tjop | Paket |
| DGA75H120M2T | 1200V | 75A (Tj=100℃) | 2,0 V (typisch) | 175℃ | 34MM |
