Наличие: | |
---|---|
Количество: | |
ДГА75Х120М2Т
ШХДХ
75 А, 1200 В Полумостовой модуль
1 Описание
В этих биполярных транзисторах с изолированным затвором использованы передовые технологии траншеи и Fieldstop, обеспечивающие превосходное напряжение V CEsat и скорость переключения, низкий заряд затвора.Что соответствует стандарту RoHS.
2 особенности
● Технология FS Trench, положительный температурный коэффициент.
● Низкое напряжение насыщения: В CE(sat) , тип. = 2,0 В при I C = 75 А и T j = 25°C.
● Чрезвычайно расширенные лавинные возможности.
3 приложения
Сварка
ИБП
Трехуровневый инвертор
Усилитель сервопривода переменного и постоянного тока
Тип | ВЦЭ | IC | VCEsat,Tj=25℃ | Тьоп | Упаковка |
ДГА75Х120М2Т | 1200В | 75А (Тдж=100℃) | 2,0 В (тип.) | 175℃ | 34 мм |
75 А, 1200 В Полумостовой модуль
1 Описание
В этих биполярных транзисторах с изолированным затвором использованы передовые технологии траншеи и Fieldstop, обеспечивающие превосходное напряжение V CEsat и скорость переключения, низкий заряд затвора.Что соответствует стандарту RoHS.
2 особенности
● Технология FS Trench, положительный температурный коэффициент.
● Низкое напряжение насыщения: В CE(sat) , тип. = 2,0 В при I C = 75 А и T j = 25°C.
● Чрезвычайно расширенные лавинные возможности.
3 приложения
Сварка
ИБП
Трехуровневый инвертор
Усилитель сервопривода переменного и постоянного тока
Тип | ВЦЭ | IC | VCEsat,Tj=25℃ | Тьоп | Упаковка |
ДГА75Х120М2Т | 1200В | 75А (Тдж=100℃) | 2,0 В (тип.) | 175℃ | 34 мм |
Компания Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. была основана в декабре 2004 года и расположена по адресу № 88, Zhongtong East Road, Шуофан, район Синьу, город Уси, провинция Цзянсу.Он занимает площадь 15000м2.Уставный капитал составляет 81,5 миллиона юаней.Он имеет годовую производственную линию мощностью 500 миллионов де
Компания Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., основанная в декабре 2004 года, расположена по адресу № 88, East Zhongtong Road, город Шуофан, район Синьу, город Уси, провинция Цзянсу.Это крупное высокотехнологичное предприятие площадью 15 000 квадратных метров и уставным капиталом в 81,50 миллиона юаней.
Компания Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., основанная в декабре 2004 года, расположена по адресу № 88, East Zhongtong Road, город Шуофан, район Синьу, город Уси, провинция Цзянсу.Это крупное высокотехнологичное предприятие площадью 15 000 квадратных метров и уставным капиталом в 81,50 миллиона юаней.
Компания Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., основанная в декабре 2004 года, расположена по адресу № 88, East Zhongtong Road, город Шуофан, район Синьу, город Уси, провинция Цзянсу.Это крупное высокотехнологичное предприятие площадью 15 000 квадратных метров и уставным капиталом в 81,50 миллиона юаней.
Компания Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., основанная в декабре 2004 года, расположена по адресу № 88, East Zhongtong Road, город Шуофан, район Синьу, город Уси, провинция Цзянсу.Это крупное высокотехнологичное предприятие площадью 15 000 квадратных метров и уставным капиталом в 81,50 миллиона юаней.
Компания Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., основанная в декабре 2004 года, расположена по адресу № 88, East Zhongtong Road, город Шуофан, район Синьу, город Уси, провинция Цзянсу.Это крупное высокотехнологичное предприятие площадью 15 000 квадратных метров и уставным капиталом в 81,50 миллиона юаней.