ворота
Цзянсу Донхай Полупроводниковая Компания, ООО
Вы здесь: Дом » Товары
Модель:
Упаковка:
В:
А:
ИЗБРАННЫЕ ЛИНИИ ПРОДУКЦИИ:

Все продукты

Изображение Модель Пакет V A Техническое описание Подробности Запрос Добавить в корзину
2А, 650 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор D2N65 TO-252B Д2Н65 ТО-252Б 650В 英文版D2N65技术规格书.pdf
30А 60В НИЗКИЙ VF Диод Шоттки с барьером MBR30R60CTS TO-220C МБР30Р60CTS ТО-220С 60В 30А MBR30R60CTS 技术规格书REV.1.0..pdf
50А 650В Trenchstop биполярный транзистор G50T65LBBW TO-247 с изолированными воротами G50T65LBBW ТО-247 650В 50А G50T65LBBW__техническое описание(1)(1).pdf
36 А, 1200 В, N-канальный силовой МОП-транзистор SIC DCCF080M120A2 TO-247-4L DCCF080M120A2 ТО-247-4Л 1200В 36А Спецификация устройства DCC080M120A.pdf
20А 650В барьерный диод ДККТ20Д65Г4 Карбид Шоттки ТО-247-2Л DCCT20D65G4 ТО-247-2Л 650В 20А Спецификация устройства DCCT20D65G4.pdf
170 А, 40 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DHS020N04P DFN5*6 DHS020N04P ДФН5*6-8 40В 170А Спецификация устройства DHS020N04P, версия 2.0.pdf
20A 200V LOW VF Диод Шоттки с барьером MBR20R200CT TO-220C МБР20Р200КТ ТО-220С 200В 20А 英文版MBR20R200CT 技术规格书.pdf
80А, 40 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH065N04D TO-252B ДХ065Н04Д ТО-252Б 40В 80А Спецификация устройства DH065N04.pdf
Биполярный транзистор DGC75F120M2 TO-247PLUS с изолированными воротами 75A 1200V Trenchstop ДГК75Ф120М2 ТО-247ПЛЮС 1200В 75А DGC75F120M2__datasheet-V1.2.pdf
12А, 60 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор D12N06 TO-252 Д12Н06 ТО-252Б 60В 12А Спецификация устройства Д12Н06(ТО-252Б).pdf
240 А, 85 В, N-канальный режим расширения, силовой МОП-транзистор DHS020N88U, платный пакет ДХС020Н88У ПОТЕРИ 85В 285А Donghai_DHS020N88U_Datasheet_V2.0.pdf
175 А, 80 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DHS035N88 TO-220C ДХС035Н88 ТО-220С 80В 175А Donghai_DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf
15А, 40 В, режим улучшения P-канала, силовой МОП-транзистор AOD413 TO-252B АОД413 ТО-252Б -40В -30А Donghai_AOD413&AOB413-B2E_Datasheet_V1.0.pdf
4А, 700 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор F4N70 TO-220F Ф4Н70 ТО-220Ф 700В 英文版F4N70技术规格书(1).pdf.
7А, 600 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор F7N60 Ф7Н60 ТО-220Ф 600В 英文版F7N60技术规格书.pdf
7А, 800 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор F7N80 TO-220F Ф7Н80 ТО-220Ф 800В 英文版F7N80技术规格书.pdf
4А, 650 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор F4N65 TO-220F Ф4Н65 ТО-220Ф 650В 英文版F4N65技术规格书MAXREV1.0.pdf
N-канальный силовой МОП-транзистор SIC, 120 А, 1200 В DCC016M120G2/DCCF016M120G2 DCC016M120G2 ТО-247 1200В 120А Donghai_DCC016M120G2&DCCF016M120G2_Datasheet_V1.0.pdf
205A 85V N-канальный режим улучшения MOSFET DHS025N88 TO-263 ДХС025Н88Е ТО-263 85В 205А Спецификация устройства DHS025N88.pdf
25А 1700В SiC диод Шоттки с барьером DCCT25D170G1 ТО-247-2Л 1700В 25А Спецификация устройства DCCT25D170G1.pdf

Видео о продукте

  • Подпишитесь на нашу рассылку
  • будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу рассылку, чтобы получать обновления прямо на ваш почтовый ящик