ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Вы здесь: Дом » Продукция » МОСФЕТ » 12 В-300В N MOS » 205A 85V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DHS025N88 TO-263

загрузка

Поделиться с:
Кнопка обмена Facebook
Кнопка обмена Twitter
Кнопка обмена строками
Кнопка обмена WeChat
Кнопка совместного использования LinkedIn
Pinterest кнопка совместного использования
Кнопка обмена WhatsApp
Кнопка обмена Sharethis

205A 85V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DHS025N88 TO-263

В этом N-канальном режиме режима режима мощности использовались современные технологии технологии Trench Trench Splite, обеспечивающие отличный RDSON и низкий заряд. Который согласуется со стандартом ROHS.
Доступность:
количество:

205A 85V N-канальный режим режима Power MOSFET


1 Описание 

В этом N-канальном режиме режима режима мощности использовались современные технологии технологии Trench Trench Splite, обеспечивающие отличный RDSON и низкий заряд. Который согласуется со стандартом ROHS. 


2 функции 

● Быстрое переключение 

● Низкое сопротивление 

● Зарядки с низким затвором 

● Высокий лавинный ток 

● Низкие емкости обратного переноса 

● 100% тест на электроэнергию с одним импульсной лавиной 

● Тест 100% ΔVDS 


3 приложения 

● Синхронное исправление в SMPS 

● Твердое переключение и высокоскоростная цепь 

● Электроинструменты

● UPS 

● Мотор управление

VDSS RDS (ON) (тип) ИДЕНТИФИКАТОР
85 В 2,5 МОм 205а


Предыдущий: 
Следующий: 
  • Зарегистрируйтесь в нашей бюллетене
  • Будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу новостную рассылку, чтобы получить обновления прямо в ваш почтовый ящик