Деревянные двери(1)(8) (1)
ворота
Цзянсу Донхай Полупроводниковая Компания, ООО
Вы здесь: Дом » Товары
Модель:
Упаковка:
В:
А:
ИЗБРАННЫЕ ЛИНИИ ПРОДУКЦИИ:

Все продукты

Изображение Модель Пакет V A Техническое описание Подробности Запрос Добавить в корзину
Трехконтактный регулятор напряжения IC L7824 TO-220M L7824 ТО-220М 24В 8мА 英文版L78XX 技术规格书.pdf
N-канальный силовой МОП-транзистор SIC, 68 А, 1200 В DCC040M120A2/DCCF040M120A2
Диод с барьером Шоттки, 20 А, 100 В MBR20100CT TO-220M МБР20100CT ТО-220М 100 В 20А 英文版MBR20100CT 技术规格书.pdf
20А 650В Тренчстоп биполярный транзистор ДГЭ20Ф65М2 ТО-263 с изолированными воротами ДГЭ20Ф65М2 ТО-263 650В 20А таблица данных.pdf
-6A -100V Режим улучшения P-канала Power MOSFET DH100P18V SOP-8 ДХ100П18В СОП-8 -100В -6А DH100P18V_Datasheet_V1.0.pdf
120 А, 40 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DTE043N04NA TO-263 ДТЕ043N04NA ТО-263 40В 120А Устройство+DTG045N04NA&DTE043N04NA+Спецификация+Ред.1.0.pdf
Трехконтактный регулятор напряжения IC L7812 TO-220M L7812 ТО-220М 12 В 8мА 英文版L78XX 技术规格书.pdf
70 А, 60 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DATP057N06N DFN5*6 ДАТП057N06N ДФН5*6 60В 70А DATP057N06N_Datasheet_V1.0.pdf
Режим расширения P-канала, силовой МОП-транзистор 30 А, 100 В DH100P28D TO-252B ДХ100П28Д ТО-252Б -100В -30А Спецификация устройства DH100P28.pdf
100 В/8 мОм/68 А N-MOSFET DSD090N10L3A TO-252B ДСД090Н10Л3А ТО-252Б 100 В 68А DSD090N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
биполярный транзистор ДГК20Ф65М2 ТО-247-3Л ворот 20А 650В изолированный Тренчстоп ДГК20Ф65М2 ТО-247 650В 20А таблица данных.pdf
120 А, 40 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DTG045N04NA TO-220C ДТГ045Н04НА ТО-220С 40В 120А Устройство+DTG045N04NA&DTE043N04NA+Спецификация+Ред.1.0.pdf
60А 600В Диод быстрого восстановления MUR6060BCT MUR6060BCT TO-247 MUR6060BCT ТО-247 600В 60А 英文版MUR6060BCT技术规格书REV1.1.pdf
N-канальный силовой SiC-МОП-транзистор, 40 мОм, 650 В DCC040M65G2 TO-247 DCC040M65G2 ТО-247 650В 52А DCC040M65G2&DCCF040M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
Диод барьера ДКЭ08Д65Г4 К-263 Карбида Шоттки 8А 650В DCE08D65G4 ТО-263 650В 8А Спецификация устройства DCE08D65G4.pdf
120 А, 60 В, N-канальный реbfc74a84327adb8=120 В/12 мОм/70 А N-МОП-транзистор DSG140N12N3 TO-220C ДХ065Н06 ТО-220С 60В 120А Устройство+DH065N06+Спецификация+Ред.2.0.pdf
N-канальный режим расширения Power MOSFET 18N20/F18N20/I18N20/ E18N20/B18N20/D18N20
10А 650В SiC диод Шоттки с барьером DCD10D65G4 ТО-252Б 650В 10А Спецификация устройства DCD10D65G4.pdf
8А 650В барьерный диод ДКГТ08Д65Г4 Карбид Шоттки ТО-220-2Л DCGT08D65G4 ТО-220-2Л 650В 8А Спецификация устройства DCGT08D65G4.pdf
68 В/7,2 мОм/80 А N-MOSFET DTD080N07N TO-252B DTD080N07N ТО-252Б 68В 80А DTD080N07N_Datasheet_V1.0.pdf

Видео о продукте

  • Цзянсу Донхай Полупроводниковая Компания, ООО
  • Подпишитесь на нашу рассылку
  • будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу рассылку, чтобы получать обновления прямо на ваш почтовый ящик
    Представлять на рассмотрение
Авторские права © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. Leadong.com