ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Вы здесь: Дом » Продукты
Модель:
Упаковка:
V:
A:
Выбранные линейки продуктов:

Все продукты

изображений модели Пакет v Анаширование данных сведения о данных Добавить в корзину
80A 40 В n-канальный режим режима мощности MOSFET DH065N04D до 252B DH065N04D До 252b 40 В 80A Устройство DH065N04 Specification.pdf
SIC Schottky Barrier Diode 10A 650V DCGT10D65G4 до-220-2L DCGT10D65G4 До-220-2L 650 В. 10а Устройство DCGT10D65G4 Specification.pdf
120a 60 В n-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH065N06/DH065N06E/DH065N06D/DH065N06P DH065N06 До-220c 60 В 120a Устройство+DH065N06+Спецификация+Rev.2.0.pdf
250A 40 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH019N04 до-220C DH019N04 До-220c 40 В 250a Устройство DH019N04 Specification.pdf
10A 650V SIC Schottky Diode DCD10D65G4 До 252b 650 В. 10а Устройство DCD10D65G4 Specification.pdf
8A 650V SIC Schottky Барьер диод DCGT08D65G4 до-220-2L DCGT08D65G4 До-220-2L 650 В. Устройство DCGT08D65G4 Specification.pdf
 SIC Schottky Barrier Diode 10a 650V DCE10D65G4 До 263 650 В. 10а Устройство DCE10D65G4 Specification.pdf
33A 60 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH240N06LD до 252B DH240N06LD До 252b 60 В 33а Устройство DH240N06L Спецификация Rev.2.0.pdf
10a 1200v Sic Schottky Diode DCD10D120G4 / DCCT10D120G4 / DCET10D120G4
116A 68V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH070N06 До-220c 60 В 88а Устройство DH070N06 Спецификация (2) .pdf
 N-канальный режим улучшения мощности MOSFET 180A 40V DHS020N04 TO-220C DHS020N04 До-220c 40 В 180a Устройство DHS020N04 Specification.pdf
240A 60 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DHS022N06 TO-220C DHS022N06 До-220c 60 В 180a Donghai+DHS022N06 & DHS022N06E+DataSheeT+v2.0.pdf
170a 100 В n-канальный режим улучшения мощности Mosfet DSE028N10N3 до-263 DSE028N10N3 До 263 100 В 170a DSG030N10N3 & DSE028N10N3_DATASHEET_V1.0.PDF
160A 30 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH020N03P 5x6-8 DH020N03P DFN5X6 30 В 160a Устройство DH020N03P Speciation.pdf
105A 68V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DHS055N07 TO-220C DHS055N07 До-220c 68 В 105а Donghai+DHS055N07 & DHS055N07E+DataSheet+v2.0 .pdf
80a 60 В n-канальный режим улучшения режима Power Mosfet DATD063N06N TO-252B DATD063N06N До 252b 60 В 80A Устройство+DATD063N06N+Спецификация Rev.1.0.pdf
310A 20 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH009N02 TO-220C DH009N02 До-220c 20 В 310A Устройство DH009N02 Specification.pdf
100A 85V N-канальный режим режима Power MOSFET DH85N08 TO-220C DH85N08 До-220c 85 В 100А Устройство DH85N08 Specification.pdf
60a 30 В n-канальный режим улучшения мощности Mosfet DH081N03D до 252B DH081N03D До 252b 30 В 60а Устройство DH081N03 Specification.pdf
100A 30 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH012N03P DFN5*6 DH012N03P DFN5X6 30 В 100А DH012N03P_DATASHEET_V2.0.PDF

Продукт видео

  • Зарегистрируйтесь в нашей бюллетене
  • Будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу новостную рассылку, чтобы получить обновления прямо в ваш почтовый ящик