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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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80A 40V Modo de mejora del canal MOSFET DH065N04D a 252B DH065N04D A 252b 40V 80A Dispositivo DH065N04 Especificación.PDF
Sic Schottky Barrera Diodo 10a 650V DCGT10D65G4 TO-220-2L Dcgt10d65g4 A 220-2L 650V 10A Dispositivo DCGT10D65G4 Especificación.PDF
120A 60V N-canal Modo de mejora MOSFET DH065N06/DH065N06E/DH065N06D/DH065N06P DH065N06 A 220c 60V 120a Dispositivo+DH065N06+Especificación+Rev.2.0.pdf
250A 40V N-canal Modo de mejora de la potencia MOSFET DH019N04 a 220C DH019N04 A 220c 40V 250a Dispositivo DH019N04 Especificación.PDF
10a 650V SIC Schottky Barrera Diodo DCD10D65G4 A 252b 650V 10A Dispositivo DCD10D65G4 Especificación.PDF
8A 650V SIC Schottky Barrera Diodo DCGT08D65G4 a 220-2L DCGT08D65G4 A 220-2L 650V 8A Dispositivo DCGT08D65G4 Especificación.PDF
 Sic Schottky Barrera Diodo 10a 650V DCE10D65G4 A 263 650V 10A Dispositivo DCE10D65G4 Especificación.PDF
33A 60V N-canal Modo de mejora MOSFET DH240N06LD TO-252B Dh240n06ld A 252b 60V 33a Dispositivo DH240N06L Especificación Rev.2.0.pdf
10a 1200V Sic Schottky Barrera Diodo DCD10D120G4 / DCCT10D120G4 / DCET10D120G4
116A 68V N-Canal Modo de mejora de potencia MOSFET DH070N06 A 220c 60V 88a Dispositivo DH070N06 Especificación (2) .pdf
 Modo de mejora del canal N potencia MOSFET 180A 40V DHS020N04 a 220C DHS020N04 A 220c 40V 180A Dispositivo DHS020N04 Especificación.PDF
240A 60V Modo de mejora del canal de potencia MOSFET DHS022N06 TO-220C DHS022N06 A 220c 60V 180A Donghai+DHS022N06 y DHS022N06E+Hoja de datos+v2.0.pdf
170A 100V N-canal Modo de mejora de potencia MOSFET DSE028N10N3 TO-263 DSE028N10N3 A 263 100V 170A DSG030N10N3 y DSE028N10N3_DATAYATE_V1.0.PDF
160A 30V N-canal Modo de mejora MOSFET DH020N03P 5X6-8 DH020N03P Dfn5x6 30V 160A Dispositivo DH020N03P Especificación.PDF
105A 68V Modo de mejora del canal Napa MOSFET DHS055N07 TO-220C DHS055N07 A 220c 68V 105a Donghai+DHS055N07 y DHS055N07E+Hoja de datos+V2.0 .pdf
80A 60V N-canal Modo de mejora de alimentación MOSFET DATD063N06N TO-252B Datd063n06n A 252b 60V 80A Dispositivo+DATD063N06N+Especificación Rev.1.0.pdf
310A 20V Modo de mejora del canal MOSFET DH009N02 a 220C DH009N02 A 220c 20V 310A Dispositivo DH009N02 Especificación.PDF
100a 85V Modo de mejora del canal MOSFET DH85N08 a 220C DH85N08 A 220c 85V 100A Dispositivo DH85N08 Especificación.PDF
Modo de mejora del canal 60a 30V N-canal MOSFET DH081N03D TO-252B DH081N03D A 252b 30V 60A Dispositivo DH081N03 Especificación.PDF
Modo de mejora del canal de 100 V 30A MOSFET DH012N03P DFN5*6 DH012N03P Dfn5x6 30V 100A Dh012n03p_dataSheet_v2.0.pdf

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