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Diodo de recuperación rápida 80A 200V MUR80FU20DCS MUR80FU20DCS
7N60/F7N60/I7N60/ E7N60/B7N60/D7N60
4N60/F4N60/B4N60/D4N60
23N50D
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 112A 85V DHS043N85P DFN5X6 DHS043N85P DFN5*6 85V 112A Especificación del dispositivo DHS043N85P-Rev.1.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 108A 85V DHS042N85P DFN5*6-8 DHS042N85P DFN5*6-8 85V 108A Donghai_DHS042N85P_Datasheet_v1.0.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 120A 90V DH90N055R TO-220C DH90N055R A-220C 90V 120A Especificación del dispositivo DH90N055R.pdf
F20N50/20N50B
100V/5.2mΩ/95A N-MOSFET DSP070N10L3A DFN5X6 DSP070N10L3A DFN5X6 100V 95A Donghai_DSP070N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSG108N20NA TO-220C DSG108N20NA A-220C 200V 110A Donghai_DSG108N20NA_Datasheet_V1.0.pdf
96A 100V Modo de mejora de canal N MOSFET de potencia DFN5X6 DSP051N10N DFN5*6-8 100V 96A Dispositivo DSP051N10N Especificación Rev.1.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal P de 10A 30V DH160P03V SOP-8 DH160P03V POE-8 30V 10A Dispositivo DH160P03V Especificación Rev.1.0.pdf
Transistor bipolar DGC50F65M2 TO-247 de puerta aislada Trenchstop de 50A 650V DGC50F65M2 A-247 650V 50A DGC50F65M2__datasheet.pdf
MOSFET de potencia DTE025N04NA TO-263 del modo de mejora del canal N de 220A 40V DTE025N04NA A-263 40V 220A Dispositivo DTE025N04NA y DTG025N04NA Especificación Rev.1.0.pdf
MOSFET de potencia D2N60 TO-252B del modo de mejora del canal N de 2A 600V D2N60 TO-252B 600V 2A 英文版D2N60技术规格书.pdf
60A 300V Recuperación ultrarrápida Diodo de recuperación rápida MUR60FU30CS TO-3PN MUR60FU30DCS A-3PN 300V 60A
MOSFET de potencia 13N90 TO-3PN del modo de mejora del canal N de 13A 900V 13N90 A-3PN 900V 13A 英文版13N90技术规格书.pdf
8N65/F8N65
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 80A 60V DHS065N06P DFN5X6 DHS065N06P
Diodo de recuperación rápida 45A 300V MUR4530DCT TO-3PN MUR4530DCT A-3PN 300V 45A mur4530dct英文版FRD 45A 300V T series技术规格书.pdf

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