puerta
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
Usted está aquí: Hogar » Productos
Modelo:
Paquete:
V:
A:
LÍNEAS DE PRODUCTOS SELECCIONADAS:

Todos los productos

Imagen Modelo Paquete V A Ficha técnica Detalles Consulta Añadir al carrito
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 180A 85V DSD040N08N3A TO-252B DSD040N08N3A TO-252B 85V 180A Dispositivo+DSD040N08N3A+Especificación+Rev.1.0.pdf
MOSFET de potencia 18N50 TO-220C del modo de mejora del canal N de 18A 500V 18N50 A-220C 500V 18A 英文版18N50技术规格书.pdf
Medio puente 500V/3A IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB07HB50MFN ESOP-9 500V 7A Donghai_DPQB07HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
Medio puente 500V/3A IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB03HB50MFN ESOP-9 500V 3A Donghai_DPQB03HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET F2N60 TO-220F del poder del modo del aumento del canal N de 2A 600V F2N60 TO-220F 600V 2A
Modo de mejora de canal N MOSFET de potencia 120A 100V DH10H035R TO-220C DH10H035R A-220C 100V 120A Especificación del dispositivo DH10H035R.pdf
MOSFET B5N50 TO-251B de potencia del modo de mejora del canal N de 5A 500V B5N50 TO-251B 500V 5A Especificación del dispositivo D5N50 y B5N50.pdf
MOSFET D5N50 TO-252B del MOSFET del poder del modo del aumento del canal N de 5A 500V D5N50 TO-252B 500V 5A Especificación del dispositivo D5N50 y B5N50.pdf
Medio puente 500V/3A IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MFN ESOP-9 500V 5A Donghai_DPQB05HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
18N50/F18N50/18N50D
Medio puente 500V/3A IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB04HB50MF ESOP-9 500V 4A Donghai_DPQB04HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 220A 20V DH009N02P DFN5*6-8 DH009N02P DFN5*6-8 20V 220A Especificación del dispositivo DH009N02P.pdf
Medio puente 500V/3A IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB04HB50MFN ESOP-9 500V 4A Donghai_DPQB04HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSN108N20N TO-3PN DSN108N20N A-3PN 200V 110A Donghai_DSN108N20N_Datasheet_V1.0.pdf
Medio puente 500V/3A IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB03HB50MF ESOP-9 500V 3A Donghai_DPQB03HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo de barrera Schottky 10A 150V MBR10150CT TO-263 MBR10150CT A-263 150V 10A MBR10150CT技术规格书.pdf
Diodo de barrera Schottky 40A 150V MBR40150CT TO-263 MBR40150CT A-263 150V 40A 英文版MBR40150CT技术规格书.pdf
Medio puente 500V/3A IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB07HB50MF ESOP-9 500V 7A Donghai_DPQB07HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
13N50AH1/F13N50AH1/ I13N50AH1/E13N50AH1
MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 320 A y 20 V DH009N02U

Vídeo del producto

  • Suscríbete a nuestro boletín
  • prepárese para el futuro
    suscríbase a nuestro boletín para recibir actualizaciones directamente en su bandeja de entrada