未命名(1)(8) (1)
hek
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
U bent hier: Thuis » Producten
Model:
Pakket:
V:
A:
GESELECTEERDE PRODUCTLIJNEN:

Alle producten

Afbeelding Model Pakket V A Gegevensblad Details Aanvraag Voeg toe aan winkelwagen
Spanningsregelaar IC met drie aansluitingen L7824 TO-220M L7824 TO-220M 24V 8mA 英文版L78XX 技术规格书.pdf
68A 1200V N-kanaal SIC-vermogens-MOSFET DCC040M120A2/ DCCF040M120A2
20A 100V SchottkyBarrierDiode MBR20100CT TO-220M MBR20100CT TO-220M 100V 20A 英文版MBR20100CT 技术规格书.pdf
20A 650V Trenchstop geïsoleerde poort bipolaire transistor DGE20F65M2 TO-263 DGE20F65M2 TO-263 650V 20A gegevensblad.pdf
-6A -100V P-kanaal Verbeteringsmodus Vermogens-MOSFET DH100P18V SOP-8 DH100P18V SOP-8 -100V -6A DH100P18V_Gegevensblad_V1.0.pdf
120A 40V N-kanaal Enhancement Mode Power MOSFET DTE043N04NA TO-263 DTE043N04NA TO-263 40V 120A Apparaat+DTG045N04NA&DTE043N04NA+Specificatie+Rev.1.0.pdf
Spanningsregelaar IC met drie aansluitingen L7812 TO-220M L7812 TO-220M 12V 8mA 英文版L78XX 技术规格书.pdf
70A 60V N-kanaal Verbeteringsmodus Vermogens-MOSFET DATP057N06N DFN5*6 DATP057N06N DFN5*6 60V 70A DATP057N06N_Gegevensblad_V1.0.pdf
P-kanaal Verbeteringsmodus Vermogens-MOSFET 30A 100V DH100P28D TO-252B DH100P28D TO-252B -100V -30A Apparaat DH100P28 Specificatie.pdf
100V/8mΩ/68A N-MOSFET DSD090N10L3A TO-252B DSD090N10L3A TO-252B 100V 68A DSD090N10L3A_Gegevensblad_V1.0.pdf
20A 650V Trenchstop geïsoleerde poort bipolaire transistor DGC20F65M2 TO-247-3L DGC20F65M2 TO-247 650V 20A gegevensblad.pdf
120A 40V N-kanaal Enhancement Mode Power MOSFET DTG045N04NA TO-220C DTG045N04NA TO-220C 40V 120A Apparaat+DTG045N04NA&DTE043N04NA+Specificatie+Rev.1.0.pdf
60A 600V Snelle hersteldiode MUR6060BCT MUR6060BCT TO-247 MUR6060BCT TO-247 600V 60A 英文版MUR6060BCT 技规格书REV1.1.pdf
40mΩ 650V N-kanaal SiC-voedingsMOSFET DCC040M65G2 TO-247 DCC040M65G2 TO-247 650V 52A DCC040M65G2&DCCF040M65G2_Gegevensblad_V1.0.pdf
8A 650V SiC Schottky-barrièrediode DCE08D65G4 TO-263 DCE08D65G4 TO-263 650V 8A Apparaat DCE08D65G4 Specificatie.pdf
120A 60V N-kanaal Enhancement Mode Power MOSFET DH065N06/DH065N06E/DH065N06D/DH065N06P DH065N06 TO-220C 60V 120A Apparaat+DH065N06+Specificatie+Rev.2.0.pdf
N-kanaalverbeteringsmodus Vermogens-MOSFET 18N20/F18N20/I18N20/ E18N20/B18N20/D18N20
10A 650V SiC Schottky-barrièrediode DCD10D65G4 TO-252B 650V 10A Apparaat DCD10D65G4 Specificatie.pdf
8A 650V SiC Schottky-barrièrediode DCGT08D65G4 TO-220-2L DCGT08D65G4 TO-220-2L 650V 8A Apparaat DCGT08D65G4 Specificatie.pdf
68V/7,2mΩ/80A N-MOSFET DTD080N07N TO-252B DTD080N07N TO-252B 68V 80A DTD080N07N_Gegevensblad_V1.0.pdf

Productvideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Schrijf u in voor onze nieuwsbrief
  • bereid u voor op de toekomst.
    Meld u aan voor onze nieuwsbrief om updates rechtstreeks in uw inbox te ontvangen
    Indienen
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologie door leadong.com