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Schnelle Freilaufdiode 80A 200V MUR80FU20DCS MUR80FU20DCS
7N60/F7N60/I7N60/E7N60/B7N60/D7N60
4N60/F4N60/B4N60/D4N60
23N50D
112 A 85 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS043N85P DFN5X6 DHS043N85P DFN5*6 85V 112A Gerätespezifikation DHS043N85P-Rev.1.0.pdf
108A 85V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS042N85P DFN5*6-8 DHS042N85P DFN5*6-8 85V 108A Donghai_DHS042N85P_Datasheet_v1.0.pdf
120 A 90 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH90N055R TO-220C DH90N055R TO-220C 90V 120A Gerätespezifikation DH90N055R.pdf
F20N50/20N50B
100 V/5,2 mΩ/95 A N-MOSFET DSP070N10L3A DFN5X6 DSP070N10L3A DFN5X6 100V 95A Donghai_DSP070N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
200 V/11 mΩ/110 A N-MOSFET DSG108N20NA TO-220C DSG108N20NA TO-220C 200V 110A Donghai_DSG108N20NA_Datasheet_V1.0.pdf
96 A 100 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DFN5X6 DSP051N10N DFN5*6-8 100V 96A Gerät DSP051N10N Spezifikation Rev.1.0.pdf
10 A 30 V P-Kanal-Verstärkungsmodus-Leistungs-MOSFET DH160P03V SOP-8 DH160P03V SOP-8 30V 10A Gerät DH160P03V Spezifikation Rev.1.0.pdf
50 A 650 V Trenchstop-Bipolartransistor mit isoliertem Gate DGC50F65M2 TO-247 DGC50F65M2 TO-247 650V 50A DGC50F65M2__Datenblatt.pdf
220 A 40 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DTE025N04NA TO-263 DTE025N04NA TO-263 40V 220A Gerät DTE025N04NA&DTG025N04NA Spezifikation Rev.1.0.pdf
2A 600V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET D2N60 TO-252B D2N60 TO-252B 600V 2A 英文版D2N60术规格书.pdf
60A 300V Ultraschnelle Erholungsdiode MUR60FU30CS TO-3PN MUR60FU30DCS TO-3PN 300V 60A
13A 900V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 13N90 TO-3PN 13N90 TO-3PN 900V 13A 英文版13N90术规格书.pdf
8N65/F8N65
80 A 60 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS065N06P DFN5X6 DHS065N06P
45A 300V Fast-Recovery-Diode MUR4530DCT TO-3PN MUR4530DCT TO-3PN 300V 45A mur4530dct英文版FRD 45A 300V T-Serie技术规格书.pdf

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