Tor
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
Sie sind hier: Heim » Produkte
Modell:
Paket:
V:
A:
Ausgewählte Produktlinien:

Alle Produkte

Bildmodellpaket Eine v Datenblattdetails zum Korb Anfrage hinzufügen
80A 40V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET DH065N04D TO-252B DH065N04D To-252b 40V 80a Gerät DH065N04 Spezifikation.pdf
SIC Schottky Barrier Diode 10A 650V DCGT10D65G4 TO-220-2L DCGT10D65G4 To-220-2l 650 V 10a Gerät DCGT10D65G4 Spezifikation.pdf
120A 60V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET DH065N06/DH065N06E/DH065N06D/DH065N06P DH065N06 To-220c 60 V 120a Gerät+DH065N06+Spezifikation+Rev.2.0.pdf
250A 40V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET DH019N04 TO-220C DH019N04 To-220c 40V 250a Gerät DH019N04 Spezifikation.pdf
10a 650 V Sic Schottky Barrier Diode DCD10D65G4 To-252b 650 V 10a Gerät DCD10D65G4 Spezifikation.pdf
8A 650V SIC Schottky Barrier Diode DCGT08D65G4 TO-220-2L DCGT08D65G4 To-220-2l 650 V 8a Gerät DCGT08D65G4 Spezifikation.pdf
 Sic Schottky Barrier Diode 10a 650 V DCE10D65G4 To-263 650 V 10a Gerät DCE10D65G4 Spezifikation.pdf
33A 60V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET DH240N06LD TO-252B DH240N06LD To-252b 60 V 33a Gerät DH240N06L Spezifikation Rev.2.0.pdf
10a 1200V Sic Schottky Barrier Diode DCD10D120G4 / DCCT10D120G4 / DCET10D120G4
116A 68V N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET DH070N06 To-220c 60 V 88a Gerät DH070N06 Spezifikation (2) .pdf
 N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET 180A 40V DHS020N04 bis 220c DHS020N04 To-220c 40V 180a Gerät DHS020N04 Spezifikation.pdf
240A 60V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET DHS022N06 TO-220C DHS022N06 To-220c 60 V 180a Donghai+DHS022N06 & DHS022N06E+Datenblatt+v2.0.pdf
170a 100V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET DSE028N10N3 TO-263 DSE028N10N3 To-263 100V 170a DSG030N10N3 & DSE028N10N3_DATASEET_V1.0.PDF
160A 30V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET DH020N03P 5x6-8 DH020N03P DFN5X6 30V 160a Gerät DH020N03P -Spezifikation.pdf
105A 68V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DHS055N07 TO-220C DHS055N07 To-220c 68 V 105a Donghai+DHS055N07 & DHS055N07E+Datenblatt+v2.0 .pdf
80A 60V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET DATD063N06N TO-252B DATD063N06N To-252b 60 V 80a Gerät+DATD063N06N+Spezifikation Rev.1.0.pdf
310A 20V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET DH009N02 bis 220C DH009N02 To-220c 20V 310a Gerät DH009N02 Spezifikation.pdf
100A 85V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET DH85N08 TO-220C DH85N08 To-220c 85 V 100a Gerät DH85N08 Spezifikation.pdf
60A 30V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET DH081N03D TO-252B DH081N03D To-252b 30V 60a Gerät DH081N03 Spezifikation.pdf
100A 30V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET DH012N03P DFN5*6 DH012N03P DFN5X6 30V 100a DH012N03P_DATASEET_V2.0.pdf

Produktvideo

  • Melden Sie sich für unseren Newsletter an
  • Sie sich bereit für die Zukunft
    Machen