200 V/11 mΩ/110 A N-MOSFET DSN108N20N TO-3PN

200 V/11 mΩ/110 A N-MOSFET

1 Beschreibung 

Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus nutzten ein fortschrittliches Trench-Technologie-Design und sorgten für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen 

• Geringer Widerstand 

• Geringe Rückübertragungskapazitäten

• 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest

• 100 % ΔVDS-Test

• Bleifreie Beschichtung / Halogenfrei / RoHS-konform

3 Anwendung

• Leistungsschaltanwendungen

• DC-DC-Wandler

• Volle Brückenkontrolle

VDSS	RDS(ein)(TYP)	AUSWEIS	Paket
200V	11mΩ	110A	TO-3PN