200 V/11mΩ/110A N-MOSFET DSN108N20N TO-3PN

200 V/11MΩ/110A N-MOSFET

1 Beschreibung 

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Gräbertechnologiedesign und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 

2 Merkmale 

• Niedriger Widerstand 

• Niedrige Umkehrtransferkapazität

• 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest

• 100% ΔVDS -Test

• Pb-freie Beschichtung / Halogenfrei / ROHS-konform

3 Anwendung

• Stromschaltanwendungen

• DC-DC-Konverter

• Vollbrückenkontrolle