200V/11mΩ/110A N-MOSFET
1 Beskrivelse
Disse N-kanals forstærkningstilstande power-mosfets brugte avanceret trench-teknologi design, gav fremragende Rdson og lav gate-opladning. Hvilket er i overensstemmelse med RoHS-standarden.
2 funktioner
• Lav modstand
• Lave omvendte overføringskapacitanser
• 100 % enkeltpuls lavineenergitest
• 100 % ΔVDS-test
• Pb-fri plettering / Halogen-fri / RoHS-kompatibel
3 Anvendelse
• Strømskifteapplikationer
• DC-DC konvertere
• Fuld brokontrol
| VDSS |
RDS(on)(TYP) |
ID |
Pakke |
| 200V |
11 mΩ |
110A |
TIL-3PN |