200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSN108N20N TO-3PN

200V/11mΩ/110A N-MOSFET

1 Opis 

Ovi mosfeti s N-kanalnim modom poboljšanja koristili su napredni dizajn tehnologije trench, dajući izvrstan Rdson i nizak naboj vrata. Što je u skladu s RoHS standardom. 

2 Značajke 

• Nizak otpor 

• Niski kapaciteti povratnog prijenosa

• 100% ispitivanje energije lavine s jednim impulsom

• 100% ΔVDS test

• Pokrivanje bez Pb / bez halogena / Sukladno RoHS

3 Primjena

• Aplikacije za prebacivanje napajanja

• DC-DC pretvarači

• Potpuna kontrola mosta

VDSS	RDS(uključen)(TYP)	ID	Paket
200V	11 mΩ	110A	TO-3PN