200V / 11mΩ / 110a N-MOSFET DSN108N20N TO-3PN

200 V / 11mΩ / 110a N-MOSFET

1 Description 

Ces MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N ont utilisé la conception avancée de la technologie des tranchées, ont fourni un excellent RDSON et une charge de porte basse. Qui correspond à la norme ROHS. 

2 caractéristiques 

• Faible résistance 

• Capacités de transfert inverse faibles

• Test d'énergie à impulsion à 100% à 100% unique

• Test de 100% ΔVDS

• Pb-Free Plating / HalogoGe / ROHS conforme

3 application

• Applications de commutation d'alimentation

• Convertisseurs DC-DC

• Contrôle complet du pont