200V/11MΩ/110A N-MOSFET DSN108N20N TO-3PN

200V/11MΩ/110A N-MOSFET

1 Descriere 

Aceste moduri de îmbunătățire a canalelor N MOSFET-uri au utilizat un design avansat al tehnologiei șanțului, au furnizat RDSON excelent și o încărcare joasă de poartă. Care este în conformitate cu standardul ROHS. 

2 caracteristici 

• Rezistență scăzută 

• Capacități de transfer invers scăzut

• Test de energie 100% cu un singur impuls de avalanșă

• Test 100% ΔVDS

• Placare fără PB / fără halogen / ROHS

3 Aplicație

• Aplicații de comutare a puterii

• Converter DC-DC

• Controlul complet al podului