200V/11mΩ/110A N-MOSFET
1 Opis
Ti močnostni mosfeti v načinu izboljšave N-kanalov so uporabljali napredno zasnovo tehnologije jarek, zagotavljajo odličen Rdson in nizek naboj vrat. Kar je v skladu s standardom RoHS.
2 Lastnosti
• Nizka odpornost
• Nizke kapacitivnosti povratnega prenosa
• 100% preizkus energije plazov z enim impulzom
• 100% ΔVDS test
• Prevleka brez svinca/brez halogenov/skladno z RoHS
3 Aplikacija
• Aplikacije za preklapljanje moči
• DC-DC pretvorniki
• Popolna kontrola mostu
| VDSS |
RDS (vklopljen) (TYP) |
ID |
Paket |
| 200 V |
11 mΩ |
110A |
TO-3PN |