vrata
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nahajate se tukaj: domov » Izdelki » MOSFET » 12V-300V N MOS » 200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSN108N20N TO-3PN

nalaganje

Skupna raba z:
facebook gumb za skupno rabo
gumb za skupno rabo na Twitterju
gumb za skupno rabo linije
gumb za skupno rabo v wechatu
Linkedin gumb za skupno rabo
gumb za skupno rabo na pinterestu
gumb za skupno rabo WhatsApp
deli ta gumb za skupno rabo

200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSN108N20N TO-3PN

DSN108N20N
200V/11mΩ/110A N-MOSFET
Razpoložljivost:
Količina:

200V/11mΩ/110A N-MOSFET


1 Opis 

Ti močnostni mosfeti v načinu izboljšave N-kanalov so uporabljali napredno zasnovo tehnologije jarek, zagotavljajo odličen Rdson in nizek naboj vrat. Kar je v skladu s standardom RoHS. 


2 Lastnosti 

• Nizka odpornost 

• Nizke kapacitivnosti povratnega prenosa

• 100% preizkus energije plazov z enim impulzom

• 100% ΔVDS test

• Prevleka brez svinca/brez halogenov/skladno z RoHS


3 Aplikacija

• Aplikacije za preklapljanje moči

• DC-DC pretvorniki

• Popolna kontrola mostu



VDSS RDS (vklopljen) (TYP) ID Paket
200 V 11 mΩ 110A TO-3PN


Prejšnja: 
Naprej: 
  • Prijavite se na naše glasilo
  • pripravite se na prihodnost,
    prijavite se na naše glasilo, da boste prejemali posodobitve neposredno v svoj nabiralnik