丨
Predan temu, da postane vodilni v
MOČ
POLPREVODNIKI
Poglej več
pasica2
PREDAN 
POSTATI VODILNI V 
MOČNOSTNI POLPREVODNIKI
PODJETJE GAZELA
Poglej več
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
0 +
㎡

Tlorisna površina

0 +
milijonov

Registrirani kapital

0 +
milijonov

Zmogljivost proizvodne linije

0 +
%

Pristnost izdelka

1

O podjetju

Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. je bilo ustanovljeno decembra 2004 na naslovu št. 88, Zhongtong East Road, Shuofang, okrožje Xinwu, mesto Wuxi, provinca Jiangsu.Zajema površino 15000 m2.Registrirani kapital je 81,5 milijona juanov.Ima letno proizvodno linijo 500 milijonov električnih naprav.Obstajajo štirje laboratoriji za preizkus značilnosti naprav, test zanesljivosti, test aplikacij in analizo napak.Donghai je visokotehnološko podjetje, ki se ukvarja z razvojem, oblikovanjem, pakiranjem, testiranjem in prodajo polprevodniških napajalnih naprav in integriranih vezij.

Center za izdelke

Glavni proizvodi so: MOSFET, IGBT, dioda itd. Široko se uporablja v različnih potrošniških elektronskih izdelkih, industrijskih elektronskih izdelkih, novi energiji, inteligentni avtomobilski elektroniki, 5G in drugih področjih.
MOSFET
DIODA
IGBT
MODUL
Naša prednost
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Profesionalna tehnologija
  • Močna produktivnost
  • Napredna oprema
  • Inovacijske raziskave
  • Dobra poprodajna storitev

Vroči izdelki

DH030N03
DH030N03
Ti močnostni mosfeti v načinu izboljšave N-kanalov so uporabljali napredno zasnovo tehnologije jarek, zagotavljajo odličen Rdson in nizek naboj vrat.Kar je v skladu s standardom RoHS.
0
0
F7N80
F7N80
Ti N-kanalni izboljšani vdmosfeti so pridobljeni s samoporavnano planarno tehnologijo, ki zmanjša izgubo prevodnosti, izboljša preklopno zmogljivost in poveča energijo plazu.Kar je v skladu s standardom RoHS.TO-220F zagotavlja izolacijsko napetost ocenjeno na 2000 V RMS od vseh treh sponk do zunanjega hladilnika.Serija TO-220F ustreza standardom UL.
0
0
DH100P20D
DH100P20D
Ti P-kanalni izboljšani VDMOSFET-ji, ki uporabljajo napredno tehnologijo in dizajn, zagotavljajo odličen Rdson z nizkim nabojem vrat.Kar je v skladu s standardom RoHS.
0
0
G40N120D
G40N120D
ROUM Field Stop Trench IGBT-ji ponujajo nizke stikalne izgube, visoko energetsko učinkovitost in odpornost na kratke stike.
Zasnovan je za aplikacije, kot so krmiljenje motorjev, neprekinjeno napajanje (UPS), splošni pretvorniki.
0
0
G50T65D
G50T65D
Z uporabo DongHaijeve lastniške zasnove Trench in napredne tehnologije FS nudi 650 V FS IGBT vrhunske in preklopne zmogljivosti, visoko odpornost na plazove, enostavno vzporedno delovanje
0
0
MBRF20100CT
MBRF20100CT
Schottkyjev usmernik z dvojnim osrednjim jezičkom, primeren za visokofrekvenčni strežnik in telekomunikacijsko bazno postajo SMPS.Pakirano v TO Znotraj paketa ta naprava združuje visoko nazivno vrednost toka in nizko glasnost za izboljšanje zanesljivosti in gostote moči aplikacije.TO-220F zagotavlja izolacijsko napetost ocenjeno na 2000 V RMS od vseh treh sponk do zunanjega hladilnika.
0
0
MUR6030NCA
MUR6030NCA
60 A, 300 V ultra hitre diode Imajo nizek padec napetosti naprej in so ravninske, pasivizirane s silicijevim nitridom, ionsko implantirane, epitaksialne konstrukcije.Te naprave so namenjene uporabi kot diode za krmiljenje energije/objemalne diode in usmerniki v različnih stikalnih napajalnikih in drugih aplikacijah preklapljanja moči.Njihov nizek shranjeni naboj in ultrahitra obnovitev z značilnostmi mehke obnovitve zmanjšata zvonjenje in električni šum v številnih preklopnih tokokrogih, s čimer se zmanjša izguba moči v preklopnem tranzistorju
0
0
MBR30R45CTS
MBR30R45CTS
Schottkyjev usmernik z dvojnim osrednjim jezičkom, primeren za visokofrekvenčni strežnik in telekomunikacijsko bazno postajo SMPS.Pakirano v TO Znotraj paketa ta naprava združuje visoko nazivno vrednost toka in nizko glasnost za izboljšanje zanesljivosti in gostote moči aplikacije.TO-220F zagotavlja izolacijsko napetost ocenjeno na 2000 V RMS od vseh treh sponk do zunanjega hladilnika.
0
0
DGC40C120M2T
DGC40C120M2T
Ti bipolarni tranzistorji z izoliranimi vrati so uporabljali napredno zasnovo tehnologije trench in Fieldstop, zagotavljajo odličen VCEsat in hitrost preklapljanja ter nizko napolnjenost vrat.Kar je v skladu s standardom RoHS.
0
0
DCC040M120A2
DCC040M120A2
Ta družina izdelkov ponuja vrhunsko delovanje.Zasnovan je za visokofrekvenčne aplikacije, kjer se zahtevata visoka učinkovitost in visoka zanesljivost.
0
0
  • VETRNA ENERGIJA
  • Kup za polnjenje
  • Avtomobilska elektronika
  • Industrijska elektronika

Novičarsko središče

→
11_1365_905.jpg
→
2019黄山宏村两天游.jpg
→
2021年第四届春节跑步.jpg
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Naroči se na naše novice
  • pripravite se na prihodnost,
    prijavite se na naše glasilo, da boste prejemali posodobitve neposredno v svoj nabiralnik
    Naročite se
Copyright © 2023​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com