未命名 (1) (8) (1)
vrata
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Tu ste: Doma » Izdelki » Mosfet » 12V-300V N MO » 240A 85V način izboljšanja N-kanala Power MOSFET DHS020N88U

nalaganje

Delite:
Gumb za skupno rabo Facebooka
Gumb za skupno rabo Twitterja
Gumb za skupno rabo vrstic
Gumb za skupno rabo WeChat
Gumb za skupno rabo LinkedIn
Gumb za skupno rabo Pinterest
Gumb za skupno rabo WhatsApp
Gumb za skupno rabo

240A 85V Način izboljšanja N-kanalov Power MOSFET DHS020N88U paket cestnina

Ta način izboljšanja N-kanala Power MOSFET uporablja napredno tehnologijo Split Gate Hatch, ki hkrati zagotavlja odličen RDSON in nizka naboj vrat. Ki ustreza standardu ROHS.
Razpoložljivost:
Količina:
Poizvedite Dodaj v košarico

285A 85V Način izboljšanja N-kanalov Power MOSFET


1 opis 


Ta način izboljšanja N-kanala Power MOSFET uporablja napredno tehnologijo Split Gate Hatch, ki hkrati zagotavlja odličen RDSON in nizka naboj vrat. Ki ustreza standardu ROHS. 


2 značilnosti 

● nizko odpornost

● Nizka naboj vrat

● Hitro preklapljanje 

● Kapacitivnosti z nizkim povratnim prenosom

● 100% enojni preskus energije z enim impulzom 

● 100% ΔVDS test


3 aplikacije

● Aplikacije za preklop napajanja 

● Upravljanje električne energije za pretvorbe 

● Upravljanje baterij

VDS RDS (ON) (Typ) Id
85V 1.4mΩ 285a


Prenos Naprava DHS020N88U Specifikacija v2.0.pdf

Prejšnji: 
Naslednji: 
240A 85V MOSFET
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prijavite se za naše glasilo
  • Pripravite se na prihodnjo
    prijavo na naše glasilo, da dobite posodobitve naravnost v mapo »Prejeto«
    Oddaj
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Tehnologija LEADENG.COM