դարպաս
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd

բեռնում

Կիսվել՝
Ֆեյսբուքի փոխանակման կոճակ
Twitter-ի համօգտագործման կոճակը
տողերի փոխանակման կոճակ
wechat-ի փոխանակման կոճակը
linkedin-ի համօգտագործման կոճակը
pinterest-ի համօգտագործման կոճակը
whatsapp-ի համօգտագործման կոճակը
կիսել այս համօգտագործման կոճակը

240A 85V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DHS020N88U TOLL փաթեթ

Այս N-ալիքի ընդլայնման ռեժիմի հզոր MOSFET-ը օգտագործում է առաջադեմ Split Gate Trench տեխնոլոգիա, որն ապահովում է հիանալի Rdson և միևնույն ժամանակ ցածր Gate լիցքավորում: Որը համապատասխանում է RoHS ստանդարտին:
Առկայություն՝
Քանակ:
  • DHS020N88U

  • WXDH

  • DHS020N88U

  • ԱՆՎՃԱՐ

  • Donghai_DHS020N88U_Datasheet_V2.0.pdf

  • 85 Վ

  • 285 Ա

285A 85V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET


1 Նկարագրություն 


Այս N-ալիքի ընդլայնման ռեժիմի հզոր MOSFET-ն օգտագործում է առաջադեմ Split Gate Trench տեխնոլոգիան, որն ապահովում է հիանալի Rdson և միևնույն ժամանակ ցածր Gate լիցքավորում: Որը համապատասխանում է RoHS ստանդարտին: 


2 Հատկանիշներ 

● Ցածր դիմադրություն

● Դարպասի ցածր լիցքավորում

● Արագ միացում 

● Հակադարձ փոխանցման ցածր հզորություններ

● 100% մեկ իմպուլսային ավալանշ էներգիայի փորձարկում 

● 100% ΔVDS թեստ


3 Դիմումներ

● Էլեկտրաէներգիայի անջատման հավելվածներ 

● Էլեկտրաէներգիայի կառավարում ինվերտերային համակարգերի համար 

● Մարտկոցի կառավարում

VDSS RDS(միացված)(TYP) ID
85 Վ 1,4 mΩ 285 Ա


Նախորդը: 
Հաջորդը: 
  • Գրանցվեք մեր տեղեկագրին
  • պատրաստվեք ապագայի համար,
    գրանցվեք մեր տեղեկագրում՝ թարմացումներ անմիջապես ձեր մուտքի արկղում ստանալու համար