brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » MOSFET » 12V-300V N MOS » 240A 85V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DHS020N88U TOLL balíček

načítání

Sdílet s:
tlačítko sdílení na facebooku
tlačítko sdílení na twitteru
tlačítko sdílení linky
tlačítko sdílení wechat
tlačítko sdílení linkedin
tlačítko sdílení na pinterestu
tlačítko sdílení whatsapp
sdílet toto tlačítko sdílení

240A 85V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DHS020N88U TOLL balíček

Tento výkonový MOSFET v režimu N-kanálového vylepšení využívá pokročilou technologii Split Gate Trench, která poskytuje vynikající Rdson a zároveň nízké nabíjení brány. Což odpovídá standardu RoHS.
Dostupnost:
Množství:

Výkonový MOSFET 285A 85V N-channel Enhancement Mode


1 Popis 


Tento výkonový MOSFET v režimu N-kanálového vylepšení využívá pokročilou technologii Split Gate Trench, která poskytuje vynikající Rdson a zároveň nízké nabíjení brány. Což odpovídá standardu RoHS. 


2 Vlastnosti 

● Nízký odpor

● Nízký poplatek za bránu

● Rychlé přepínání 

● Nízké zpětné přenosové kapacity

● 100% jednopulzní lavinový energetický test 

● Test 100% ΔVDS


3 Aplikace

● Aplikace pro přepínání napájení 

● Řízení napájení pro invertorové systémy 

● Správa baterie

VDSS RDS(zapnuto)(TYP) ID
85V 1,4 mΩ 285A


Předchozí: 
Další: 
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky