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240A 85V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET DHS020N88U Toll-Paket

Dieser N-Kanal-Verbesserungsmodus-Power MOSFET verwendet die fortschrittliche Split-Gate-Grabentechnologie, die gleichzeitig eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung bietet. Das entspricht dem ROHS -Standard.
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285A 85V N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET


1 Beschreibung 


Dieser N-Kanal-Verbesserungsmodus-Power MOSFET verwendet die fortschrittliche Split-Gate-Grabentechnologie, die gleichzeitig eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung bietet. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale 

● Niedrig des Widerstands

● Ladung mit niedriger Gate

● schnelles Umschalten 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test


3 Anwendungen

● Stromschaltanwendungen 

● Stromverwaltung für Wechselrichtersysteme 

● Batteriemanagement

VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS
85 V 1,4 mΩ 285a


herunterladen Geräte DHS020N88U Spezifikation v2.0.pdf

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240a 85 V MOSFET
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