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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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240 A 85 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS020N88U TOLL-Gehäuse

Dieser N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Anreicherungsmodus nutzt die fortschrittliche Split-Gate-Trench-Technologie, die gleichzeitig einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung bietet. Was dem RoHS-Standard entspricht.
Verfügbarkeit:
Menge:

285 A 85 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET


1 Beschreibung 


Dieser N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Anreicherungsmodus nutzt die fortschrittliche Split-Gate-Trench-Technologie, die gleichzeitig einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung bietet. Was dem RoHS-Standard entspricht. 


2 Funktionen 

● Geringer Widerstand

● Niedrige Gate-Ladung

● Schnelles Umschalten 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test


3 Anwendungen

● Leistungsschaltanwendungen 

● Energiemanagement für Wechselrichtersysteme 

● Batteriemanagement

VDSS RDS(ein)(TYP) AUSWEIS
85V 1,4 mΩ 285A


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