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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
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Paquete de TOLL MOSFET DHS020N88U de potencia de modo de mejora de canal N de 240A 85V

Este MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N utiliza la avanzada tecnología Split Gate Trench, que proporciona un Rdson excelente y una carga de puerta baja al mismo tiempo. Lo cual cumple con el estándar RoHS.
Disponibilidad:
Cantidad:

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 285A y 85 V


1 Descripción 


Este MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N utiliza la avanzada tecnología Split Gate Trench, que proporciona un Rdson excelente y una carga de puerta baja al mismo tiempo. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 


2 características 

● Baja resistencia

● Cargo de puerta bajo

● Cambio rápido 

● Bajas capacitancias de transferencia inversa.

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

● Prueba 100% ΔVDS


3 aplicaciones

● Aplicaciones de conmutación de energía 

● Gestión de energía para sistemas inversores. 

● Gestión de la batería

VDSS RDS (activado) (TIPO) IDENTIFICACIÓN
85V 1,4 mΩ 285A


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