285A 85V N-kanali täiustusrežiimi võimsus MOSFET
1 Kirjeldus
See N-kanali täiustusrežiimi võimsus MOSFET kasutab täiustatud Split Gate Trench tehnoloogiat, mis tagab samaaegselt suurepärase Rdsoni ja madala värava laengu. Mis vastab RoHS standardile.
2 Omadused
● Madal takistus
● Värava madal laeng
● Kiire ümberlülitamine
● Madal pöördülekande mahtuvus
● 100% ühe impulsi laviini energia test
● 100% ΔVDS test
3 Rakendused
● Toitelülitusrakendused
● Toitehaldus invertersüsteemidele
● Akuhaldus
| VDSS |
RDS (sees) (TYP) |
ID |
| 85V |
1,4 mΩ |
285A |