Pühendunud liidriks saamisele

Võimsus

Pooljuhid

Vaadake rohkem

Aidata kaasa rohelise elu ja säästvale arengule

Innovatsioon, terviklikkus, entusiasm, pühendumus

Vaadake rohkem

IGBT ühetoru /moodul, SIC diood /MOS, Sgt MOS, kraavi-MOS, Super ristmik MOS, kolme terminaalne pingeregulaator, FRD, SBD, SCR, SCR, SCR.

Vaadake rohkem

T0-220C, TO-220F, TO-220M, TO-3PN, TO-247, TO-251, T0-252, T0-263, TOLL, DFN5*6, DFN3*3, SOP-8, TO-92, jne.

Põhitooted

Põhipaketid

㎡

Põrandapind

miljon

Registreeritud kapital

miljon

Tootmisliin

Toote autentsus

Ettevõtte profiil

Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. loodi 2004. aasta detsembris, mis asub nr 88, Zhongtong East Road, Shuofang, Xinwu ringkond, Wuxi City, Jiangsu provints. See hõlmab pindala 15000m2. Registreeritud kapital on 81,5 miljonit jüaani. Sellel on aastane tootmisliin 500 miljonit elektriseadmeid. Seadme iseloomuliku testi, töökindluse testi, rakenduste testi ja tõrke analüüsi jaoks on neli laborit. Donghai on kõrgtehnoloogia ettevõte, mis tegeleb pooljuhtide elektriseadmete ja integreeritud vooluringide arendamise, kavandamise, pakendamise, testimise ja müügiga.

Loe edasi

Ettevõtte ülevaade

Tootekeskus

Pakume kliendi põhjalikku tootelahendust, sealhulgas LV-MV MOSFET, HV MOSFET, IGBT ühe/mooduli, FRD/SBD, SIC Diood/MOS/moodul, GAN ja IPM.

Mosfet

Diood

IGBT

IGBT moodul

Sic

Pingeregulaator IC

Kõik tooted

Professionaalne

Tehnoloogia

Tugev

Tootlikkus

Arenenud

Varustus

Innovatsioon

Uurimine

Hea järelmõju

Teenistus

Kuum müük pooljuhti ja integreeritud vooluringid

Täiustatud tootmistehnoloogia, paremad protsessitingimused ja peeneks optimeeritud seadme struktuurid, et pidevalt optimeerida toote juhtivust takistust, lülitusomadusi, usaldusväärsust ja edendada pidevalt toodete iteratsiooni.

Esitletud tooted

Õppige rohkem

120A 60 V N-kanali parendamisrežiimi võimsus MOSFET DH065N06 TO-220C

Õppige rohkem

N-kanali tugevdusrežiimi võimsus MOSFET 180A 40V DHS020NN04 TO-220C

Õppige rohkem

160A 30 V N-kanali tugevdamisrežiim MOSFET DH020N03P 5x6-8

Õppige rohkem

105A 68V N-kanali tugevdusrežiimi võimsus MOSFET DHS055N07 TO-220C

Õppige rohkem

85A 80 V N-kanali parendamisrežiimi võimsus MOSFET DH075N08 TO-220C

Õppige rohkem

100A 70 V N-kanali parendamisrežiim MOSFET DHS043N07P DFN5X6

Õppige rohkem

47A 100 V N-kanaliga tugevdusrežiimi toitem MOSFET TO-220C

Õppige rohkem

50A 650V Treenchstop isoleeritud värava bipolaarne transistor G50T65D kuni-3pn

Õppige rohkem

120A 85V N-kanali tugevdusrežiimi võimsus MOSFET DHS045N85 TO-220C

Õppige rohkem

14A 650 V N-kanali tugevdamisrežiim Power MOSFET F14N65 TO-220F

Õppige rohkem

8a 650v N-kanali parendamise režiim Power Mosfet F8N65 TO-220F

Õppige rohkem

10A 600V kiire taastamise diood Murd1060CT TO-252

Õppige rohkem

170A 40V N-kanali parendamisrežiim MOSFET DHS020N04P DFN5*6

Õppige rohkem

Trenchstop isoleeritud värava bipolaarne transistor 40A 1200V G40N120D TO-247

Õppige rohkem

175A 80 V N-kanali tugevdamisrežiim Power MOSFET DHS035N88 TO-220C

Õppige rohkem

80A 40V N-kanali parendamisrežiim Power MOSFET DH045N04P DFN5X6 pakett

Õppige rohkem

7.6a 650v N-kanaliga super ristmiku Power MOSFET DHFSJ8N65 TO-220F

Õppige rohkem

100A 40 V N-kanali tugevdamisrežiim MOSFET DHS021N04P DFN5X6

Õppige rohkem

N-kanali tugevdamisrežiimi võimsus MOSFET 80A 85V DHS065N85 TO-220C

Õppige rohkem

240A 85V N-kanali parendamise režiim Power MOSFET DHS020NN8U Toll Pakett

Õppige rohkem

Pooljuhtide intelligentsed energiakontrollisüsteemi lahendused

Tarbeelektroonika

Tööstus

Uus energia

Auto-

Vaata morit

Digitaalne müügisaal

Kui soovite lisateavet meie tootmisvõimaluste kohta, võite klõpsata sündmuskohal avataril või aktsepteerida minu kutset!

Kliendi vajadused on meie vajadused

24h insener online pakub tehnilist tuge
Palju varusid kiire kohaletoimetamise tagamiseks
Hea kvaliteet pikaajaliseks koostööks
Mõistlik hind madalamate kuludeni

Küsige kohe

Uudistekeskus

IGBT-tehnoloogia areng: alates esimesest põlvkonnast kuni tänapäevaste kiirete mooduliteni

Võimsuse elektroonika valdkonnas on isoleeritud värava bipolaarne transistor (IGBT) viimaste aastakümnete mõjukaimate komponentidena.

9. aprill 2025

IGBT vs. MOSFET: suure võimsusega rakenduste jaoks õige pooljuhi valimine

Toiteelektroonika kiiresti arenevas valdkonnas on tõhususe, töökindluse ja jõudluse saavutamiseks kriitilise tähtsusega õige lülitusseadme valimine.

9. aprill 2025

IGBT -de roll elektrisõidukite jõuülekannetes: liikuvuse tuleviku juhtimine

Kuna autotööstus kiireneb elektrifitseerimise poole, jätkab üks tehnoloogia selle revolutsiooni vaikides: isoleeritud värava bipolaarse transistori (IGBT).

9. aprill 2025