4A 650 V N-kanali tugevdusrežiim Power MOSFET D4N65 TO-252B

4A 650V N-kanali parendamise režiimi võimsus MOSFET

1 kirjeldus

Need N-kanaliga täiustatud VDMOSFET-id saadakse ise joondatud tasapinnalise tehnoloogia abil, mis vähendab juhtivuse kadu, parandavad lülitus jõudlust ja suurendavad laviini energiat. Mis on kooskõlas ROHSi standardiga. TO-220F pakub isolatsioonipinget, mis on hinnatud 2000 V RMS-ist kõigist kolmest klemmist kuni välise jahutusradiaiseini. TO-220F-seeria vastab UL-i standarditele (faili viide: E252906). 

2 funktsiooni

● Kiire vahetamine 

● ESD täiustatud võimekus 

● Madal takistus (RDSON≤ 2,8Ω)

● Madal värava laadimine (tüüp: 14,5nc) 

● Madal tagurpidi ülekande mahtuvus (tüüp: 3,5 pf) 

● 100% ühe impulsi laviini energiatesti 

● 100% ΔVDS -test 

3 rakendust 

● Süsteemi miniaturiseerimiseks ja suurema efektiivsuse jaoks kasutatud erinevates energialülitusahelates. 

● Elektronballasti ja adapteri toitelüliti vooluring.