ຮູບແບບການປັບປຸງແບບ 4504%

4A 650V N-channel mode sthenment mode power mosfet ພະລັງງານ

1

ນີ້ໄດ້ຮັບການປັບປຸງ VDMOsfets ທີ່ໄດ້ຮັບການປັບປຸງ, ແມ່ນໄດ້ຮັບໂດຍເຕັກໂນໂລຢີຂອງແຜນທີ່ຂອງຕົວເອງເຊິ່ງຊ່ວຍຫຼຸດຜ່ອນການສູນເສຍການເຮັດວຽກ, ປັບປຸງການປ່ຽນແປງຂອງການເຮັດວຽກແລະເສີມຂະຫຍາຍພະລັງງານ avalanche. ເຊິ່ງສອດຄ່ອງກັບມາດຕະຖານ Rohs. ເຖິງ 220F ໃຫ້ການໃຫ້ຄະແນນແຮງດັນສະຫມອງຢູ່ທີ່ 2000V rms ຈາກທັງສາມສະຖານີສໍາລັບ heatsink ພາຍນອກ. ຊຸດ TO-220F ປະຕິບັດຕາມມາດຕະຖານ UL (ເອກະສານອ້າງອີງ: e252906). 

2 ລັກສະນະ

●ສະຫຼັບໄວ 

● Esd ປັບປຸງຄວາມສາມາດ 

●ຕ່ໍາສຸດຕໍ່ຕ້ານ (rdson≤2.8ω)

at ຄ່າບໍລິການທີ່ຕ່ໍາ (ປະເພດ: 14.5NC) 

●ມີການໂອນເງິນທີ່ມີການໂອນເງິນຕໍ່າ (ປະເພດ: 3.5pF) 

● 100% SLULE ALALANCHE PURANCECE PORTALLECE 

● 100% ການທົດສອບδvds 

3 ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ 

●ໃຊ້ໃນວົງຈອນສະຫຼັບພະລັງງານຕ່າງໆສໍາລັບລະບົບ miniaturization ແລະປະສິດທິພາບສູງ. 

●ວົງຈອນສະຫຼັບໄຟຟ້າຂອງ Electron Ballast ແລະ Adapter.