4a 650V N-csatornás javítási mód Power MOSFET D4N65 TO-252B

Ezeket az N-csatornás továbbfejlesztett VDMOSFET-eket az önállóan beállított sík technológia nyeri, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási teljesítményt és javítja az a lavina energiáját. Amely megfelel a ROHS szabványnak.

Elérhetőség:

mennyiség:



Érdeklődik Adja hozzá a kosárhoz

Modell:
D4N65
Márka:
WXDH
Csomag:
TO-252B
Adatlap:
英文版 D4N65 技术规格书 rev1.0.pdf
V:
650 V -os
A:
4A

Termékleírás

4a 650V N-csatornás javítási mód Power MOSFET

1 Leírás

Ezeket az N-csatornás továbbfejlesztett VDMOSFET-eket az önállóan beállított sík technológia nyeri, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási teljesítményt és javítja az a lavina energiáját. Amely megfelel a ROHS szabványnak. A TO-220F a szigetelési feszültséget 2000 V-os RMS-nél biztosítja mindhárom terminálról a külső hűtőbordaig. A TO-220F sorozat megfelel az UL szabványoknak (File REF: E252906).

2 Jellemzők

● Gyors váltás

● Az ESD javított képessége

● Alacsony az ellenállás (rdson≤2,8Ω)

● Alacsony kapu töltés (TIP: 14.5NC)

● Alacsony fordított átviteli kapacitások (TYP: 3,5PF)

● 100% egyetlen impulzus lavina energiateszt

● 100% ΔVDS teszt

3 alkalmazás

● Különböző teljesítménykapcsoló -áramkörben használják a rendszer miniatürizálására és a nagyobb hatékonyságra.

● Az elektronballaszt és az adapter teljesítménykapcsoló áramköre.

VDSS	Rds (on) （typ)	Személyazonosság
650 V -os	2,4Ω	4A

Előző:

Következő:

Mosfet