4a 650V N-channel ကိုတိုးမြှင့်ခြင်း Mode Power Mosfet D4N65 မှ -242

4a 650V N-channel ကိုတိုးမြှင့်ခြင်း Mode Proper Mosfet Mosfet

1 ဖော်ပြချက်

ဤ N-channel ကိုတိုးမြှင့် vdomosfets များကို Self-Aligned Planar နည်းပညာဖြင့်ရရှိသော Self-alignal loss loss သည် switching performance ကိုတိုးတက်စေရန်နှင့်ပြိုလဲစွမ်းအင်ကိုမြှင့်တင်ပေးသည်။ အရာ rohs စံနှင့်အတူသဘောတူညီချက်။ To-220F သည် terminal သုံးခုစလုံးမှပြင်ပ hodsink သို့ 2000V RMS တွင် 2000v RMS တွင် elatulation voltult ကိုသတ်မှတ်ပေးသည်။ to-220F စီးရီးများသည် ul စံချိန်စံညွှန်းများနှင့်ကိုက်ညီသည် (ဖိုင် Ref: E252906) ။ 

အင်္ဂါရပ် 2 ခု

●မြန်ဆန်စွာ switching 

● ESD တိုးတက်လာသောစွမ်းရည် 

●ခုခံခြင်းအပေါ်အနိမ့်ဆုံး (RDSON≤2.8ω)

●ဂိတ်အနိမ့်ဆုံး (Typ: 14.5nc) 

●ပြောင်းပြန်ပြောင်းရွှေ့သည့်စွမ်းရည်နိမ့်ခြင်း (စာတို - 3.5pf) 

● 100% တစ်ခုတည်းသွေးခုန်နှုန်း avalanche စွမ်းအင်စမ်းသပ်မှု 

● 100% δvdsစမ်းသပ်မှု 

3 

● System Miniaturization နှင့်ပိုမိုမြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်အတွက်ပါဝါခလုတ်အမျိုးမျိုးတွင်အသုံးပြုသည်။ 

●အီလက်ထရွန်လှေနှင့် adapter ၏ power switch condit ။