ဤ N-channel တိုးမြှင့်မုဒ်ပါဝါ mosfets များသည် ကောင်းမွန်သော Rdson နှင့် low gate charge ကိုပေးစွမ်းသော အဆင့်မြင့် ကတုတ်ကျင်းနည်းပညာဒီဇိုင်းကို အသုံးပြုထားသည်။RoHS စံနှုန်းနဲ့ ကိုက်ညီပါတယ်။

ဤ N-channel မြှင့်တင်ထားသော vdmosfets များသည် conduction ဆုံးရှုံးမှုကို လျှော့ချရန်၊ switching performance ကို မြှင့်တင်ရန်နှင့် avalanche စွမ်းအင်ကို မြှင့်တင်ပေးသော self-aligned planar နည်းပညာဖြင့် ရရှိပါသည်။RoHS စံနှုန်းနဲ့ ကိုက်ညီပါတယ်။TO-220F သည် terminal သုံးခုလုံးမှ ပြင်ပအပူရှိတ်အထိ 2000V RMS တွင် လျှပ်ကာဗို့အားကို ထောက်ပံ့ပေးသည်။TO-220F စီးရီးများသည် UL စံနှုန်းများနှင့် ကိုက်ညီပါသည်။

ဤ P-channel Enhanced VDMOSFETs၊ အသုံးပြုထားသော အဆင့်မြင့် ကတုတ်ကျင်းနည်းပညာနှင့် ဒီဇိုင်းများသည် အလွန်ကောင်းမွန်သော Rdson အား တံခါးအားသွင်းမှုနည်းပါးစွာဖြင့် ပံ့ပိုးပေးပါသည်။RoHS စံနှုန်းနဲ့ ကိုက်ညီပါတယ်။

ROUM Field Stop Trench IGBTs များသည် ကူးပြောင်းခြင်း ဆုံးရှုံးမှုနည်းပါးခြင်း၊ စွမ်းအင်ထိရောက်မှု မြင့်မားခြင်းနှင့် ဝါယာရှော့ဖြစ်ပြီး ကြမ်းတမ်းခြင်းတို့ကို ပေးဆောင်သည်။
၎င်းကို မော်တာထိန်းချုပ်မှု၊ အနှောက်အယှက်ကင်းသော ပါဝါထောက်ပံ့မှုများ (UPS)၊ အထွေထွေ အင်ဗာတာများကဲ့သို့သော အက်ပ်များအတွက် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည်။

DongHai ၏ မူပိုင် Trench ဒီဇိုင်းနှင့် အဆင့်မြင့် FS နည်းပညာကို အသုံးပြု၍ 650V FS IGBT သည် သာလွန်ကောင်းမွန်ပြီး ပြောင်းလဲနိုင်သော စွမ်းဆောင်ရည်များကို ပေးစွမ်းနိုင်ပြီး နှင်းပြိုကျမှု မြင့်မားပြီး အကြမ်းခံကာ အပြိုင်လုပ်ဆောင်ရလွယ်ကူသည်။

Dual centre tab Schottky rectifier သည် High Frequency server နှင့် telecom base station SMPS အတွက် သင့်လျော်သည်။TO ပက်ကေ့ချ်အတွင်းတွင် ထုပ်ပိုးထားသော ဤစက်ပစ္စည်းသည် အပလီကေးရှင်း၏ ယုံကြည်စိတ်ချရမှုနှင့် ပါဝါသိပ်သည်းဆကို မြှင့်တင်ရန်အတွက် မြင့်မားသော လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်နှင့် အသံအတိုးအကျယ်ကို ပေါင်းစပ်ထားသည်။TO-220F သည် terminal သုံးခုလုံးမှ ပြင်ပအပူရှိတ်အထိ 2000V RMS တွင် လျှပ်ကာဗို့အားကို ထောက်ပံ့ပေးသည်။

60A၊ 300V Ultrafast Diodes ၎င်းတို့တွင် ရှေ့သို့ ဗို့အားကျဆင်းမှု နည်းပါးပြီး planar၊ ဆီလီကွန်နိုက်ထရိတ် passivated၊ ion-implanted၊ epitaxial တည်ဆောက်မှုတို့ဖြင့် ပြုလုပ်ထားသည်။ဤစက်ပစ္စည်းများကို switching power supply နှင့် အခြားသော power switching applications အမျိုးမျိုးတွင် စွမ်းအင်စတီယာရင်/ကလစ်ဆွဲဒိုင်အိုဒများနှင့် rectifiers အဖြစ် အသုံးပြုရန် ရည်ရွယ်ပါသည်။၎င်းတို့၏ သိမ်းဆည်းထားသော အားသွင်းမှု နည်းပါးခြင်းနှင့် အလွန်လျင်မြန်သော ပြန်လည်ရယူခြင်းသည် ပျော့ပျောင်းသော ပြန်လည်ရယူခြင်း လက္ခဏာများနှင့်အတူ ပါဝါပြောင်းသည့် ဆားကစ်များစွာတွင် အသံမြည်ခြင်းနှင့် လျှပ်စစ်ဆူညံသံများကို လျှော့ချပေးသည့်အတွက် switching transistor တွင် ပါဝါဆုံးရှုံးမှုကို လျှော့ချပေးသည်။

Dual centre tab Schottky rectifier သည် High Frequency server နှင့် telecom base station SMPS အတွက် သင့်လျော်သည်။TO ပက်ကေ့ချ်အတွင်းတွင် ထုပ်ပိုးထားသော ဤစက်ပစ္စည်းသည် အပလီကေးရှင်း၏ ယုံကြည်စိတ်ချရမှုနှင့် ပါဝါသိပ်သည်းဆကို မြှင့်တင်ရန်အတွက် မြင့်မားသော လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်နှင့် အသံအတိုးအကျယ်ကို ပေါင်းစပ်ထားသည်။TO-220F သည် terminal သုံးခုလုံးမှ ပြင်ပအပူရှိတ်အထိ 2000V RMS တွင် လျှပ်ကာဗို့အားကို ထောက်ပံ့ပေးသည်။

ဤ Insulated Gate Bipolar Transistor သည် အလွန်ကောင်းမွန်သော VCEsat နှင့် switching speed ၊ low gate charge ကိုပေးစွမ်းသော အဆင့်မြင့် ကတုတ်ကျင်းနှင့် Fieldstop နည်းပညာကို အသုံးပြုထားသည်။RoHS စံနှုန်းနဲ့ ကိုက်ညီပါတယ်။

ဤထုတ်ကုန်မိသားစုသည် အနုပညာစွမ်းဆောင်ရည်ကို ပေးစွမ်းသည်။မြင့်မားသော ထိရောက်မှုနှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှု လိုအပ်သည့် ကြိမ်နှုန်းမြင့်မားသော အပလီကေးရှင်းများအတွက် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည်။