25A 1200V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor
အင်္ဂါရပ်များ ၁
ဤ Insulated Gate Bipolar Transistor သည် RoHS စံနှုန်းနှင့်အညီ ကောင်းမွန်သော Vcesat နှင့် switching speed၊ low gate charge ကိုပေးစွမ်းသော အဆင့်မြင့် ကတုတ်ကျင်းနှင့် Fieldstop နည်းပညာကို အသုံးပြုထားသည်။
2. အင်္ဂါရပ်များ
FS Trench နည်းပညာ၊ အပြုသဘောဆောင်သောအပူချိန်ကိန်းဂဏန်း
ကူးပြောင်းမှု ဆုံးရှုံးမှုနည်းပါးခြင်း။
နှင်းပြိုခြင်းစွမ်းရည်ကို အလွန်မြှင့်တင်ထားသည်။
၃။ လျှောက်လွှာများ
သုံးအဆင့် Inverter
ဂဟေဆော်ခြင်း၊
ယူပီအက်စ်…
| Vces |
အထုပ် |
Ic(Tj=100℃) |
| 1200V |
TO-247-3L |
25A |