ဂိတ်
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
မင်းဒီမှာပါ: အိမ် » ထုတ်ကုန်များ » IGBT » 1200V-1700V » 25A 1200V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor DGC25H120M2 TO-247

loading

မျှဝေရန်-
facebook share ခလုတ်
twitter မျှဝေခြင်းခလုတ်
လိုင်းမျှဝေခြင်းခလုတ်
wechat မျှဝေခြင်းခလုတ်
linkedin sharing ကိုနှိပ်ပါ။
pinterest မျှဝေခြင်းခလုတ်
whatsapp မျှဝေခြင်းခလုတ်
ဤမျှဝေမှုအား မျှဝေရန် ခလုတ်ကိုနှိပ်ပါ။

25A 1200V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor DGC25H120M2 TO-247

ဤ Insulated Gate Bipolar Transistor သည် ကောင်းမွန်သော Vcesat နှင့် switching speed၊ low gate charge ကိုပေးစွမ်းသော အဆင့်မြင့် ကတုတ်ကျင်းနှင့် Fieldstop နည်းပညာကို အသုံးပြုထားသည် ။
RoHS စံနှုန်းနှင့်အညီ
ရရှိနိုင်မှု-
အရေအတွက်-
  • DGC25H120M2

  • WXDH

  • TO-247

  • 1200V

  • 25A

25A 1200V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor


အင်္ဂါရပ်များ ၁ 

ဤ Insulated Gate Bipolar Transistor သည် RoHS စံနှုန်းနှင့်အညီ ကောင်းမွန်သော Vcesat နှင့် switching speed၊ low gate charge ကိုပေးစွမ်းသော အဆင့်မြင့် ကတုတ်ကျင်းနှင့် Fieldstop နည်းပညာကို အသုံးပြုထားသည်။


2. အင်္ဂါရပ်များ 

 FS Trench နည်းပညာ၊ အပြုသဘောဆောင်သောအပူချိန်ကိန်းဂဏန်း 

 ကူးပြောင်းမှု ဆုံးရှုံးမှုနည်းပါးခြင်း။

 နှင်းပြိုခြင်းစွမ်းရည်ကို အလွန်မြှင့်တင်ထားသည်။ 


၃။ လျှောက်လွှာများ 

သုံးအဆင့် Inverter

ဂဟေဆော်ခြင်း၊

ယူပီအက်စ်…


Vces အထုပ် Ic(Tj=100℃)
1200V TO-247-3L 25A 


ယခင်- 
နောက်တစ်ခု: 
  • ကျွန်ုပ်တို့၏သတင်းလွှာအတွက် စာရင်းသွင်းပါ။
  • အနာဂတ်တွင် စာရင်းပေးသွင်းရန် အဆင်သင့်ဖြစ်နေပါစေ။
    သင့်ဝင်စာပုံးတွင် အပ်ဒိတ်များကို တိုက်ရိုက်ရယူရန် ကျွန်ုပ်တို့၏သတင်းလွှာအတွက်