Transistor bipolare a gate isolato Trenchstop da 25 A 1200 V
1 Caratteristiche
Questi transistor bipolari a gate isolato utilizzavano un design avanzato con tecnologia trench e Fieldstop, fornivano eccellenti Vcesat e velocità di commutazione, bassa carica di gate, in conformità con lo standard RoHS.
2.Caratteristiche:
Tecnologia FS Trench, coefficiente di temperatura positivo
Basse perdite di commutazione
Capacità valanghe estremamente migliorata
3.Applicazioni:
Invertitore a tre livelli
Saldatura,
UPS…
| Vces |
Pacchetto |
Ic(Tj=100℃) |
| 1200 V |
TO-247-3L |
25A |