25 A 1200 V Trenchstop-Bipolartransistor mit isoliertem Gate
1 Funktionen
Diese Bipolartransistoren mit isoliertem Gate verwenden ein fortschrittliches Trench- und Fieldstop-Technologiedesign und bieten eine hervorragende Vcesat- und Schaltgeschwindigkeit sowie eine niedrige Gate-Ladung, was dem RoHS-Standard entspricht.
2.Eigenschaften:
FS Trench-Technologie, positiver Temperaturkoeffizient
Geringe Schaltverluste
Extrem verbesserte Lawinenfähigkeit
3.Anwendungen:
Dreistufiger Wechselrichter
Schweißen,
UPS…
| Vces |
Paket |
Ic(Tj=100℃) |
| 1200V |
TO-247-3L |
25A |