Anda di sini: Rumah » Produk » IGBT » 1200V-1700V » 25A 1200V Parit Bertebat Gate Transistor Bipolar DGC25H120M2 TO-247

25A 1200V Parit Bertebat Gerbang Transistor Bipolar DGC25H120M2 TO-247

Transistor Bipolar Pintu Bertebat 25A 1200V G25T120D TO-247

Kongsi kepada:

25A 1200V Parit Bertebat Gerbang Transistor Bipolar DGC25H120M2 TO-247

Transistor Bipolar Gerbang Bertebat ini menggunakan reka bentuk teknologi parit dan Fieldstop termaju, memberikan Vcesat dan
kelajuan pensuisan yang sangat baik, cas pintu rendah, yang mengikut piawaian RoHS.

Ketersediaan:

Kuantiti:



Tanya Tambah ke Bakul

Model:
DGC25H120M2
Jenama:
WXDH
Pakej:
KE-247
V:
1200V
A:
25A

Transistor Bipolar Gerbang Bertebat 25A 1200V Parit Bertebat

1 Ciri-ciri

Transistor Bipolar Gerbang Bertebat ini menggunakan reka bentuk teknologi parit dan Fieldstop termaju, memberikan Vcesat dan kelajuan pensuisan yang sangat baik, cas pintu rendah, yang mengikut piawaian RoHS.

2.Ciri-ciri：

 Teknologi Parit FS, Pekali suhu positif

 Kerugian pensuisan yang rendah

 Keupayaan runtuhan salji yang sangat dipertingkatkan

3.Aplikasi：

Penyongsang tiga peringkat

Kimpalan、

UPS…

Vces	Pakej	Ic(Tj=100℃)
1200V	KE-247-3L	25A

Sebelumnya:

Seterusnya:

IGBT 25A 1200V IGBT Transistor Bipolar Gerbang Bertebat 25A 1200V Parit Bertebat

Daftar untuk surat berita kami
bersiap sedia untuk masa hadapan
mendaftar untuk surat berita kami untuk mendapatkan kemas kini terus ke peti masuk anda

Hantar

PRODUK KAMI
- MOSFET
- DIOD
- IGBT
- MODUL IGBT
- SIC
- IC Pengatur Voltan
TENTANG LETOR
LAGI PAUTAN
HUBUNGI KAMI

e-mel:

sales@wxdh.com .cn

Talian tetap:

+86-510-85307789
RANGKAIAN SOSIAL