Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
မင်းဒီမှာပါ: အိမ် » ထုတ်ကုန်များ » MOSFET » 400V-1500V N MOS » 8A 650V N-channel မြှင့်တင်မုဒ်ပါဝါ MOSFET F8N65 TO-220F

loading

မျှဝေရန်-
facebook share ခလုတ်
twitter မျှဝေခြင်းခလုတ်
လိုင်းမျှဝေခြင်းခလုတ်
wechat မျှဝေခြင်းခလုတ်
linkedin sharing ကိုနှိပ်ပါ။
pinterest မျှဝေခြင်းခလုတ်
whatsapp မျှဝေခြင်းခလုတ်
ဤမျှဝေမှုအား မျှဝေရန် ခလုတ်ကိုနှိပ်ပါ။

8A 650V N-channel မြှင့်တင်မုဒ် ပါဝါ MOSFET F8N65 TO-220F

ဤ N-channel မြှင့်တင်ထားသော vdmosfets များသည် conduction ဆုံးရှုံးမှုကို လျှော့ချရန်၊ switching performance ကို မြှင့်တင်ရန်နှင့် avalanche စွမ်းအင်ကို မြှင့်တင်ပေးသော self-aligned planar နည်းပညာဖြင့် ရရှိပါသည်။
ရရှိနိုင်မှု-
အရေအတွက်-
  • F8N65

  • WXDH

  • TO-220F

  • F8N65技术规格书.pdf

  • 650V

  • 8A

8A 650V N-channel Enhancement Mode ပါဝါ MOSFET


1 ဖော်ပြချက်

ဤ N-channel မြှင့်တင်ထားသော vdmosfets များသည် conduction ဆုံးရှုံးမှုကို လျှော့ချရန်၊ switching performance ကို မြှင့်တင်ရန်နှင့် avalanche စွမ်းအင်ကို မြှင့်တင်ပေးသော self-aligned planar နည်းပညာဖြင့် ရရှိပါသည်။ RoHS စံနှုန်းနဲ့ ကိုက်ညီပါတယ်။ TO-220F သည် terminal သုံးခုလုံးမှ ပြင်ပအပူရှိတ်အထိ 2000V RMS တွင် လျှပ်ကာဗို့အားကို ထောက်ပံ့ပေးသည်။ TO-220F စီးရီးများသည် UL စံနှုန်းများနှင့် ကိုက်ညီသည် (File Ref:E252906)။

အင်္ဂါရပ် ၂ ခု

● အမြန်ပြောင်းခြင်း။ 

● ESD စွမ်းဆောင်ရည်ကို တိုးတက်စေသည်။

● ခုခံမှုနည်းသည်(Rdson≤1.4Ω) 

● နိမ့်သောဂိတ်အားသွင်းမှု (အမျိုးအစား- 23.7nC) 

● ပြောင်းပြန်လွှဲပြောင်းနိုင်မှု နည်းပါးသည်(Typ:6.1pF) 

● 100% single pulse avalanche စွမ်းအင်စမ်းသပ်မှု

● 100% ΔVDS စမ်းသပ်မှု 


3 လျှောက်လွှာများ 

● စနစ်အသေးစားပြုလုပ်ခြင်းနှင့် ပိုမိုမြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်အတွက် ပါဝါပြောင်းသည့်ပတ်လမ်းအမျိုးမျိုးတွင် အသုံးပြုသည်။ 

● အီလက်ထရွန်ဘလတ်စ်နှင့် အဒက်တာ၏ ပါဝါခလုတ်ပတ်လမ်း။


VDSS  RDS(ဖွင့်ထားသည်) (TYP) အမှတ်သညာ 
650V 1.15Ω 8A



ယခင်- 
နောက်တစ်ခု: 
  • ကျွန်ုပ်တို့၏သတင်းလွှာအတွက် စာရင်းသွင်းပါ။
  • အနာဂတ်တွင် စာရင်းပေးသွင်းရန် အဆင်သင့်ဖြစ်နေပါစေ။
    သင့်ဝင်စာပုံးတွင် အပ်ဒိတ်များကို တိုက်ရိုက်ရယူရန် ကျွန်ုပ်တို့၏သတင်းလွှာအတွက်