8A 650V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET F8N65 TO-220F

8A 650V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET

1 Beskrivning

Dessa N-kanal förbättrade VDMOSFET: er erhålls av den självjusterade plana tekniken som minskar ledningsförlusten, förbättrar växlingsprestanda och förbättrar lavinenergin. Som överensstämmer med ROHS -standarden. TO-220F tillhandahåller isoleringsspänning klassad vid 2000V RMS från alla tre terminalerna till extern kylfläns. TO-220F-serien uppfyller UL-standarder (File Ref: E252906).

2 funktioner

● Snabbbrytning 

● ESD förbättrad förmåga

● Låg motstånd (RDSON≤1,4Ω) 

● Låg grindavgift (typ: 23,7nc) 

● Låg omvänd överföringskapacitanser (typ: 6.1pf) 

● 100% enkelpuls snöskredsenergitest

● 100% ΔVDS -test 

3 applikationer 

● Används i olika strömbrytarkrets för systemminiatyrisering och högre effektivitet. 

● Strömbrytare för elektronballast och adapter.