8A 650 V Tryb wzmacniający N-Kannel Moc MOSFET F8N65 TO-220F

8A 650 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET

1 Opis

Te ulepszone przez N-kanał VDMOSFET są uzyskiwane przez samozwańczą planarną technologię, która zmniejsza stratę przewodzenia, poprawiają wydajność przełączania i poprawia energię lawinową. Co jest zgodne ze standardem Rohs. TO-220F zapewnia napięcie izolacyjne oceniane przy 2000 V RMS ze wszystkich trzech zacisków do zewnętrznego ciepła. Seria TO-220F jest zgodna ze standardami UL (plik Ref: E252906).

2 funkcje

● Szybkie przełączanie 

● Ulepszona zdolność ESD

● Niskie oporność (RDSON ≤1,4Ω) 

● Niski ładunek bramki (Typ: 23,7NC) 

● Niskie pojemności przenoszenia odwrotnego (Typ: 6.1pf) 

● 100% testu energii lawinowej pojedynczej pulsu

● Test 100% ΔVDS 

3 aplikacje 

● Używany w różnych obwodach przełączania zasilania do miniaturyzacji systemu i wyższej wydajności. 

● Obwód przełącznika zasilania elektronowego balastu i adaptera.