8A 650V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET F8N65 TO-220F

8A 650V N-CHANNEL ENHancement Mode Power MOSFET

1 تفصیل

یہ این چینل بڑھائے گئے VDMOSFETs ، خود سے منسلک پلانر ٹکنالوجی کے ذریعہ حاصل کیا جاتا ہے جو ترسیل کے نقصان کو کم کرتا ہے ، سوئچنگ کی کارکردگی کو بہتر بناتا ہے اور برفانی تودے کی توانائی کو بڑھاتا ہے۔ جو ROHS معیار کے ساتھ معاہدہ کرتا ہے۔ TO-220F تینوں ٹرمینلز سے بیرونی ہیٹ سنک تک 2000V RMS پر موصلیت وولٹیج فراہم کرتا ہے۔ TO-220F سیریز UL معیارات کی تعمیل کرتی ہے (فائل ریف: E252906)۔

2 خصوصیات

● تیز سوئچنگ 

● ESD میں بہتری کی صلاحیت

resistance کم مزاحمت (rdson≤1.4ω) 

● کم گیٹ چارج (ٹائپ: 23.7nc) 

relu کم ریورس ٹرانسفر کیپسیٹینسیس (ٹائپ: 6.1pf) 

● 100 ٪ سنگل پلس برفانی تودے کا ٹیسٹ

● 100 ٪ ΔVDS ٹیسٹ 

3 درخواستیں 

system سسٹم منیٹورائزیشن اور اعلی کارکردگی کے لئے مختلف پاور سوئچنگ سرکٹ میں استعمال کیا جاتا ہے۔ 

● الیکٹران گٹی اور اڈاپٹر کا پاور سوئچ سرکٹ۔