Availability: | |
---|---|
Quantity: | |
F8N65
WXDH
TO-220F
650V
8A
8A 650V N-canale Enhancement Modus Power MOSFET
1 Description
Haec N-canale vdmosfets aucta, a technologia plani auto-aligna fit quae damnum conductionis minuit, emendare mutandi effectum et NIVIS energiam augere. Quod congruit cum RoHS vexillum. TO-220F praebet intentionem insulationem in 2000V RMS aestimatam ab omnibus tribus terminalibus calorum externorum. TO-220F series signa UL parere (File ref:E252906).
2 Features
Fast commutatione
ESD melius facultatem
● Minimum resistente (Rdson≤1.4Ω)
● Praefectum portae Minimum (Typ: 23.7nC)
Minimum contra capacitates translationis (Typ: 6.1pF)
C% unius pulsus NIVIS industria test
C% VDS test
III Applications
● In variis vi mutandi circuitio ad systema miniaturizationis et efficientiae superioris adhibita.
● Potestas transiens ambitum electronici adprehensis et adaptor.
VDSS | RDS(on)(TYP) | ID |
650V | 1.15Ω | 8A |
8A 650V N-canale Enhancement Modus Power MOSFET
1 Description
Haec N-canale vdmosfets aucta, a technologia plani auto-aligna fit quae damnum conductionis minuit, emendare mutandi effectum et NIVIS energiam augere. Quod congruit cum RoHS vexillum. TO-220F praebet intentionem insulationem in 2000V RMS aestimatam ab omnibus tribus terminalibus calorum externorum. TO-220F series signa UL parere (File ref:E252906).
2 Features
Fast commutatione
ESD melius facultatem
● Minimum resistente (Rdson≤1.4Ω)
● Praefectum portae Minimum (Typ: 23.7nC)
Minimum contra capacitates translationis (Typ: 6.1pF)
C% unius pulsus NIVIS industria test
C% VDS test
III Applications
● In variis vi mutandi circuitio ad systema miniaturizationis et efficientiae superioris adhibita.
● Potestas transiens ambitum electronici adprehensis et adaptor.
VDSS | RDS(on)(TYP) | ID |
650V | 1.15Ω | 8A |