بوابة
شركة جيانغسو دونغهاي لأشباه الموصلات المحدودة
أنت هنا: بيت » منتجات » موسفيت » 400 فولت-1500 فولت ن موس » 8A 650V N-channel وضع التحسين الطاقة MOSFET F8N65 TO-220F

تحميل

مشاركة إلى:
زر مشارك�كثر كفاءة وموثوقية وفعالية من حيث التكلفة لمختلف التطبيقات. أحد هذه الابتكارات في هذا المجال هو ترانزستور البوابة المعزولة ثنائي القطب (IGBT).
زر المشاركة على تويتر
زر مشاركة الخط
زر مشاركة وي شات
زر المشاركة ينكدين
زر مشاركة بينتريست
زر مشاركة الواتس اب
شارك زر المشاركة هذا

8A 650V N-channel وضع التحسين الطاقة MOSFET F8N65 TO-220F

يتم الحصول على vdmosfets المحسنة ذات القناة N هذه من خلال تقنية المستوى الذاتي المحاذاة والتي تقلل من فقدان التوصيل وتحسن أداء التبديل وتعزز طاقة الانهيار الجليدي.
التوفر:
الكمية:
  • F8N65

  • WXDH

  • TO-220F

  • F8N65 技术规格书.pdf

  • 650 فولت

  • 8 أ

8A 650V N-channel وضع تعزيز الطاقة MOSFET


1 الوصف

يتم الحصول على vdmosfets المحسنة ذات القناة N هذه من خلال تقنية المستوى الذاتي المحاذاة والتي تقلل من فقدان التوصيل وتحسن أداء التبديل وتعزز طاقة الانهيار الجليدي. والذي يتوافق مع معيار RoHS. يوفر TO-220F جهدًا عازلًا مُقدرًا بـ 2000 فولت RMS من جميع المحطات الثلاثة إلى المبدد الحراري الخارجي. تتوافق سلسلة TO-220F مع معايير UL (مرجع الملف: E252906).

2 الميزات

● التبديل السريع 

● تحسين القدرة على البيئة والتنمية المستدامة

● مقاومة منخفضة (Rdson≥1.4Ω) 

● شحن البوابة منخفض (النوع: 23.7nC) 

● سعات نقل عكسي منخفضة (النوع: 6.1pF) 

● اختبار طاقة الانهيار الجليدي بنبضة واحدة بنسبة 100%

● اختبار ΔVDS بنسبة 100% 


3 تطبيقات 

● يستخدم في دوائر تبديل الطاقة المختلفة لتصغير النظام وزيادة الكفاءة. 

● دائرة تبديل الطاقة للصابورة الإلكترونية والمحول.


VDSS  RDS(على)(TYP) بطاقة تعريف 
650 فولت 1.15 أوم 8 أ



سابق: 
التالي: 
  • اشترك في النشرة الإخبارية لدينا
  • استعد للمستقبل،
    اشترك في النشرة الإخبارية لدينا للحصول على التحديثات مباشرة في صندوق البريد الوارد الخاص بك