8a 650V N-canal Modo de aprimoramento Power MOSFET F8N65 TO-220F

8a 650V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET

1 Descrição

Esses VDMOSFETs aprimorados de canal N são obtidos pela tecnologia plana auto-alinhada que reduz a perda de condução, melhora o desempenho da comutação e aprimora a energia da avalanche. Que de acordo com o padrão ROHS. O TO-220F fornece tensão de isolamento classificada a 2000V RMS dos três terminais para dissipador de calor externo. A série TO-220F em conformidade com os padrões da UL (FILE REF: E252906).

2 recursos

● Comutação rápida 

● Capacidade aprimorada de ESD

● Baixa resistência (rdson≤1,4Ω) 

● Carga baixa do portão (Tip: 23.7nc) 

● Capacitâncias de transferência reversa baixa (Tip: 6.1pf) 

● Teste de energia de avalanche de pulso 100% único

● Teste 100% ΔVDS 

3 aplicações 

● Utilizado em vários circuitos de comutação de energia para miniaturização do sistema e maior eficiência. 

● Circuito de troca de energia do reator de elétrons e adaptador.