未命名(1)(8) (1)
portão
Semicondutor Co. de Jiangsu Donghai, Ltd
Você está aqui: Lar » Produtos » MOSFET
Modelo:
Pacote:
V:
UM:
LINHAS DE PRODUTOS SELECIONADAS:

Todos os produtos

de imagem de modelo Pacote V A Ficha técnica Detalhes Consulta Adicionar ao carrinho
175A 80V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS035N88 TO-220C DHS035N88 TO-220C 80V 175A Donghai_DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf
205A 85V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS025N88 TO-263 DHS025N88E PARA-263 85 V 205A Especificação do dispositivo DHS025N88.pdf
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSN108N20N TO-3PN DSN108N20N TO-3PN 200 V 110A Donghai_DSN108N20N_Datasheet_V1.0.pdf
18A 500V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET 18N50 TO-220C 18N50 TO-220C 500 V 18A 英文版18N50技术规格书.pdf
5A 500V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET B5N50 TO-251B B5N50 TO-251B 500 V 5A Especificação do dispositivo D5N50 e B5N50.pdf
180A 85V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DSD040N08N3A TO-252B DSD040N08N3A PARA-252B 85 V 180A Dispositivo+DSD040N08N3A+Especificação+Rev.1.0.pdf
0.8A 600V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET B1N60 TO-251 B1N60 TO-251B 600 V 0,8A
4A 650V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET D4N65 TO-252B D4N65 PARA-252B 650 V 4A 英文版D4N65技术规格书REV1.0.pdf
Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 180A 40V DHS020N04D TO-252B DHS020N04D PARA-252B 40V 180A Especificação do dispositivo DHS020N04D.pdf
105A 68V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS055N07E TO-263 DHS055N07E PARA-263 68 V 105A Donghai+DHS055N07&DHS055N07E+Folha de dados+V2.0 .pdf
25A 100V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET 25N10 TO-220C DH025N03 TO-220C 30V 150A Especificação do dispositivo DH025N03.pdf
140A 40V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHP035N04 DFN5X6-8L DHP035N04 DFN5x6-8L 40V 140A Especificação do dispositivo DHP035N04.pdf
60A 68V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH105N07P DFN5 * 6-8 DH105N07P DFN5*6-8 70V 56A Donghai_DH105N07P_Datasheet_V1.0 (1).pdf
120A 30V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH025N03P DFN5 * 6 DH025N03P DFN5X6 30V 120A Especificação do dispositivo DH025N03P(1)(1).pdf
40A 30V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHD80N03 TO-252B DHD80N03 PARA-252B 30V 40A Donghai_DHD80N03_Datasheet_V3.0.pdf
Modo de aprimoramento de canal P Power MOSFET 30A 100V DH100P30AB TO-251B DH100P30AB TO-251B 100V 30A
18A 500V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET 18N50D TO-3PN 18N50D TO-3PN 500 V 18A 英文版18N50D技术规格书.pdf
14A 650V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET 14N65 TO-220C 14N65 TO-220C 650 V 14A 英文版14N65技术规格书AY3(1).pdf
155A 40V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH035N04 TO-220C DH035N04 TO-220C 40V 155A Especificação do dispositivo DH035N04.pdf
18A 650V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET F18N65 TO-220F F18N65 TO-220F 650 V 18A 英文版F18N65技术规格书REV1.0.pdf

Vídeo do produto

  • Semicondutor Co. de Jiangsu Donghai, Ltd
  • Inscreva-se em nosso boletim informativo
  • prepare-se para o futuro
    inscreva-se em nosso boletim informativo para receber atualizações diretamente em sua caixa de entrada
    Enviar
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Tecnologia por leadong. com