未命名(1)(8) (1)
ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ви тут: додому » Продукти » MOSFET
модель:
пакет:
V:
A:
ВИБРАНІ ПРОДУКЦІЙНІ ЛІНІЇ:

Всі продукти

Зображення Модель Пакет V A Таблиця даних Деталі Запит Додати до кошика
175A 80V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS035N88 TO-220C DHS035N88 ТО-220С 80В 175А Donghai_DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf
205A 85V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS025N88 TO-263 DHS025N88E ТО-263 85В 205A Специфікація пристрою DHS025N88.pdf
18A 500V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 18N50 TO-220C 18N50 ТО-220С 500В 18А 英文版18N50技术规格书.pdf
5A 500V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET B5N50 TO-251B B5N50 ТО-251Б 500В 5А Специфікація пристрою D5N50&B5N50.pdf
200 В/11 мОм/110 А N-MOSFET DSN108N20N TO-3PN ДСН108Н20Н ТО-3ПН 200В 110А Donghai_DSN108N20N_Datasheet_V1.0.pdf
180A 85V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DSD040N08N3A TO-252B DSD040N08N3A ТО-252Б 85В 180А Пристрій+DSD040N08N3A+Специфікація+Ред.1.0.pdf
105A 68V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS055N07E TO-263 DHS055N07E ТО-263 68В 105А Donghai+DHS055N07&DHS055N07E+Таблиця даних+V2.0 .pdf
4A 650V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET D4N65 TO-252B D4N65 ТО-252Б 650В 4А 英文版D4N65技术规格书REV1.0.pdf
0,8 A 600 В N-канальний режим підвищення потужності MOSFET B1N60 TO-251 B1N60 ТО-251Б 600В 0,8 А
N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 180A 40V DHS020N04D TO-252B DHS020N04D ТО-252Б 40В 180А Специфікація пристрою DHS020N04D.pdf
25A 100V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 25N10 TO-220C DH025N03 ТО-220С 30В 150А Специфікація пристрою DH025N03.pdf
140A 40V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHP035N04 DFN5X6-8L DHP035N04 ДФН5х6-8л 40В 140А Специфікація пристрою DHP035N04.pdf
P-канальний режим підвищення потужності MOSFET 30A 100V DH100P30AB TO-251B DH100P30AB ТО-251Б 100В 30А
60A 68V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH105N07P DFN5*6-8 DH105N07P ДФН5*6-8 70В 56А Donghai_DH105N07P_Таблиця даних_V1.0 (1).pdf
120A 30V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH025N03P DFN5*6 DH025N03P DFN5X6 30В 120А Специфікація пристрою DH025N03P(1)(1).pdf
40A 30V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHD80N03 TO-252B DHD80N03 ТО-252Б 30В 40А Donghai_DHD80N03_Datasheet_V3.0.pdf
18A 500V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 18N50D TO-3PN 18N50D ТО-3ПН 500В 18А 英文版18N50D技术规格书.pdf
14A 650V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 14N65 TO-220C 14N65 ТО-220С 650В 14А 英文版14N65技术规格书AY3(1).pdf
155A 40V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH035N04 TO-220C DH035N04 ТО-220С 40В 155А Специфікація пристрою DH035N04.pdf
18A 650V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET F18N65 TO-220F F18N65 ТО-220Ф 650В 18А 英文版F18N65技术规格书REV1.0.pdf

Відео продукту

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Підпишіться на нашу розсилку
  • готуйтеся до майбутнього,
    підпишіться на нашу розсилку, щоб отримувати оновлення прямо у свою поштову скриньку
    Надіслати
Авторські права © 2023​​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com