未命名(1)(8) (1)
ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ви тут: додому » Продукти » MOSFET
модель:
пакет:
V:
A:
ВИБРАНІ ПРОДУКЦІЙНІ ЛІНІЇ:

Всі продукти

Зображення Модель Пакет V A Таблиця даних Деталі Запит Додати до кошика
-100 В/33 мОм/-35 А P-MOSFET DH100P30D TO-252B DH100P30D ТО-252Б -100В -35А DH100P30D_Технічний опис_V1.0+.pdf
8A 600V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET F8N60 TO-220F F8N60 ТО-220Ф 600В 8A 英文版F8N60技术规格书.pdf
DH019N04P DFN5X6-8 DH019N04P
-100 В/33 мОм/-35 А P-MOSFET DH100P30D TO-252B DH100P20D ТО-252Б -100В -20А Специфікація пристрою DH100P20.pdf
174A 85V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS030N88E TO-263 DHS030N88E ТО-263 85В 174А Специфікація пристрою DHS030N88.pdf
8N65 TO-220C 8N65
DSU047N15NA ПЛАТНИЙ ПАКЕТ DSU047N15NA
100 В/12 мОм/60 А N-MOSFET DSD150N10L3 ТО-252Б 100В 60А DSD150N10L3&DSB150N10L3_Таблиця даних_V1.0.pdf
96A 40V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH033N04P DFN5X6 DH033N04P DFN5X6 40В 96A DH033N04P+_Таблиця даних_V1.0.pdf
25A 100V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 25N10 TO-220C 25N10 ТО-220С 100В 25А Специфікація пристрою 25N10.pdf
100A 30V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K 30H10K ТО-252Б 30В 100А 30H10_Datasheet_V1.0.pdf
180A 135V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DSG052N14N ТО-220С 135В 180А DSE050N14N&DSG052N14N_DataSheet_V2.0(1).pdf
N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 180A 40V DHS020N04 TO-220C DHS020N04 ТО-220С 40В 180А Специфікація пристрою DHS020N04.pdf
140A 85V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS043N85/DHS043N85F/DHS043N85E/DHS043N85B/DHS043N85D
N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 80A 85V DHS065N85 TO-220C DHS065N85 ТО-220С 85В 100А Специфікація пристрою DHS065N85.pdf
200A 30V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH020N03D TO-252B DH020N03D ТО-252Б 30В 200А Специфікація пристрою DH020N03(B39).pdf
10,6 A 700 В N-канальний MOSFET Super Junction Power DJD420N70T TO-252 DJD420N70T ТО-252Б 700В 10,6А Специфікація пристрою DJD420N70T Rev.1.0.pdf
10,6 A 700 В N-канальний MOSFET Super Junction Power DJF420N70T TO-220F DJF420N70T ТО-220Ф 700 В 10,6А Специфікація пристрою DJF420N70T Rev.1.0.pdf
7.6A 650V N-канальний Super Junction Power MOSFET DHFSJ8N65 TO-220F DHFSJ8N65 ТО-220Ф 650В 7,6А DHFSJ8N65_Datesheet_V1.0.pdf
120 В/25 мОм/36 А N-MOSFET DSG270N12N3 TO-220C DSG270N12N3 ТО-220С 120В 36A DSG270N12N3&DSE270N12N3_Таблиця даних_V1.0.pdf

Відео продукту

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Підпишіться на нашу розсилку
  • готуйтеся до майбутнього,
    підпишіться на нашу розсилку, щоб отримувати оновлення прямо у свою поштову скриньку
    Надіслати
Авторське право © 2023​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com