ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ви тут: додому » Продукти » MOSFET
модель:
пакет:
V:
A:
ВИБРАНІ ПРОДУКЦІЙНІ ЛІНІЇ:

Всі продукти

Зображення Модель Пакет V A Таблиця даних Деталі Запит Додати до кошика
40 В/0,85 мОм/200 А N-MOSFET DSE012N04NA TO-263 КОМПЛЕКТ DSE012N04NA ТО-263 40В 200А DSE012N04NA_Datasheet_V1.0.pdf
 DSE065N10L3A ТО-263 DSE065N10L3A ТО-263 100В 103А DSE065N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
100 В/2,2 мОм/180 А N-MOSFET DSE026N10N3A TO-263 DSE026N10N3A ТО-263 100В 180А DSE026N10N3A_Datasheet_V1.0.pdf
7A 650V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHD7N65 TO-252B DHD7N65 ТО-252Б 650В 7A 英文版DHD7N65技术规格书REV1.1.pdf
100A 60V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH066N06 TO-220C DH066N06 ТО-220С 60В 100А DH066N06D_Datasheet_V2.0.pdf
47A 100V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET TO-220C DHS180N10L ТО-220С 100В 47A Специфікація пристрою DHS180N10L.pdf
160A 30V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH020N03P 5x6-8 DH020N03P DFN5X6 30В 160А Специфікація пристрою DH020N03P.pdf
170A 100V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DSE028N10N3 TO-263 DSE028N10N3 ТО-263 100В 170А DSG030N10N3&DSE028N10N3_Таблиця даних_V1.0.pdf
200 В/11 мОм/110 А N-MOSFET DSE108N20NA TO-263 DSE108N20NA ТО-263 200В 110А DSE108N20NA_Datasheet_V1.0.pdf
25A 100V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET D25N10 TO-252B D25N10 ТО-252Б 100В 25А Специфікація пристрою 25N10.pdf
85 В/0,9 мОм/360 А N-MOSFET DSU011N08N3A TOLL DSU011N08N3A ПЛАТА 85В 360A DSU011N08N3A_Datasheet_V1.0.pdf
25A 100V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH100P25D TO-252B DH100P25D ТО-252Б -100В -25А Специфікація пристрою DH100P25.pdf
DSG041N08NA TO-220C DSG041N08NA ТО-220С 85В 180А Пристрій+DSG041N08NA+Специфікація+Ред.1.0.pdf
100 В 140 А N-MOSFET DSG054N10N3 TO-220C DSG054N10N3 ТО-220С 100В 140А DSG054N10N3&DSE054N10N3_Таблиця даних_V1.0.pdf
DSE022N10N3 TO-263 DSE022N10N3
50A 150V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH50N15 TO-220C DH50N15 ТО-220С 150В 50А Специфікація пристрою DH50N15.pdf
235A 30V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH012N03U пакет TOLL DH012N03U ПЛАТА 30В 235A Пристрій+DH012N03U+Специфікація+V2.0.pdf
100 В/1,7 мОм/240 А N-MOSFET DSG024N10N3 TO-220C DSG024N10N3 ТО-220С 100В 240А DSG024N10N3&DSE022N10N3_Таблиця даних_V1.0.pdf
100A 40V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DSP018N04LA DFN5X6 КОМПЛЕКТ DSP018N04LA DFN5X6 40В 100А  DSP018N04LA _DataSheet_V1.0.pdf
DSE043N14N ТО-263 DSE043N14N ТО-263 135В 180А DSE043N14N&DSG045N14N_DataSheet_V3.0.pdf

Відео продукту

  • Підпишіться на нашу розсилку
  • готуйтеся до майбутнього,
    підпишіться на нашу розсилку, щоб отримувати оновлення прямо у свою поштову скриньку