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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
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MOSFET F8N60 TO-220F del poder del modo del aumento del canal N de 8A 600V F8N60 TO-220F 600V 8A 英文版F8N60技术规格书.pdf
-100V/33mΩ/-35A P-MOSFET DH100P30D TO-252B DH100P30D TO-252B -100V -35A DH100P30D_Hoja de datos_V1.0+.pdf
DH019N04P DFN5X6-8 DH019N04P
-100V/33mΩ/-35A P-MOSFET DH100P30D TO-252B DH100P20D TO-252B -100V -20A Especificación del dispositivo DH100P20.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 174A 85V DHS030N88E TO-263 DHS030N88E A-263 85V 174A Especificación del dispositivo DHS030N88.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 96A 40V DH033N04P DFN5X6 DH033N04P DFN5X6 40V 96A DH033N04P+_Datasheet_V1.0.pdf
PAQUETE DE PEAJE DSU047N15NA DSU047N15NA
8N65 TO-220C 8N65
MOSFET N de 100 V/12 mΩ/60 A DSD150N10L3 TO-252B 100V 60A DSD150N10L3 y DSB150N10L3_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 180 A y 135 V DSG052N14N TO-220C 135V 180A DSE050N14N&DSG052N14N_DataSheet_V2.0(1).pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 25A 100V 25N10 TO-220C 25N10 TO-220C 100V 25A Especificación del dispositivo 25N10.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 100A 30V 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K 30H10K TO-252B 30V 100A 30H10_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 140 A y 85 V DHS043N85/DHS043N85F/DHS043N85E/DHS043N85B/DHS043N85D
 MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N 80A 85V DHS065N85 TO-220C DHS065N85 TO-220C 85V 100A Especificación del dispositivo DHS065N85.pdf
 MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N 180A 40V DHS020N04 TO-220C DHS020N04 TO-220C 40V 180A Especificación del dispositivo DHS020N04.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 200A 30V DH020N03D TO-252B DH020N03D TO-252B 30V 200A Especificación del dispositivo DH020N03(B39).pdf
MOSFET de potencia súper unión de canal N de 10.6A 700V DJF420N70T TO-220F DJF420N70T TO-220F 700v 10.6A Dispositivo DJF420N70T Especificación Rev.1.0.pdf
MOSFET DJD420N70T TO-252 del poder estupendo de la unión del canal N de 10.6A 700V DJD420N70T TO-252B 700V 10.6A Dispositivo DJD420N70T Especificación Rev.1.0.pdf
MOSFET de potencia de unión estupenda de canal N de 7.6A 650V DHFSJ8N65 TO-220F DHFSJ8N65 TO-220F 650V 7.6A DHFSJ8N65_Datesheet_V1.0.pdf
120V/25mΩ/36A N-MOSFET DSG270N12N3 TO-220C DSG270N12N3 TO-220C 120V 36A DSG270N12N3 y DSE270N12N3_Datasheet_V1.0.pdf

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