ворота
Цзянсу Дунхай Полупроводниковая Компания, ООО
Вы здесь: Дом » Продукты » МОП-транзистор
Модель:
Упаковка:
В:
А:
ИЗБРАННЫЕ ЛИНИИ ПРОДУКЦИИ:

Все продукты

Изображение Модель Пакет V A Техническое описание Подробности Запрос Добавить в корзину
85 В/0,9 мОм/360 А N-MOSFET DSU011N08N3A TOLL ДСУ011Н08Н3А ПОТЕРИ 85В 360А Donghai_DSU011N08N3A_Datasheet_V1.0.pdf
DSG041N08NA ТО-220C DSG041N08NA ТО-220С 85В 180А Устройство+DSG041N08NA+Спецификация+Ред.1.0.pdf
100 В 140 А N-MOSFET DSG054N10N3 TO-220C ДСГ054Н10Н3 ТО-220С 100 В 140А Donghai_DSG054N10N3&DSE054N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
100 А, 40 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DSP018N04LA DFN5X6 ПАКЕТ ДСП018Н04ЛА DFN5X6 40В 100А Донхай_ DSP018N04LA _DataSheet_V1.0.pdf
50 А, 150 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH50N15 TO-220C ДХ50Н15 ТО-220С 150 В 50А Спецификация устройства DH50N15.pdf
ДСЕ022Н10Н3 ТО-263 ДСЕ022Н10Н3
235А, 30 В, N-канальный режим расширения, силовой МОП-транзистор DH012N03U, платный пакет ДХ012Н03У ПОТЕРИ 30 В 235А Устройство+DH012N03U+Спецификация+V2.0.pdf
100 В/1,7 мОм/240 А N-МОП-транзистор DSG024N10N3 TO-220C ДСГ024Н10Н3 ТО-220С 100 В 240А Donghai_DSG024N10N3&DSE022N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
ДСЕ043Н14Н ТО-263 ДСЕ043Н14Н ТО-263 135 В 180А Donghai_DSE043N14N&DSG045N14N_DataSheet_V3.0.pdf
170 А, 85 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DSP032N08NA DFN5X6 ДСП032Н08НА DFN5X6 85В 170А Donghai_DSP032N08NA_Datasheet_V1.0.pdf
DSG031N10N3 ТО-220C ДСГ031Н10Н3
80 В/3,4 мОм/100 А N-MOSFET DSP037N08N3 DFN5X6 ДСП037N08N3 ДФН5*6-8 80В 100А Donghai_DSP037N08N3_Datasheet_V1.0.pdf
180 А, 135 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DSG045N14N TO-220 ДСГ045Н14Н ТО-220С 135 В 180А Donghai_DSE043N14N&DSG045N14N_DataSheet_V3.0.pdf
DSU024N10N3A Платный пакет ДСУ024Н10Н3А ПОТЕРИ 100 В 272А Donghai_DSU024N10N3A_Datasheet_V1.0.pdf
40 В/0,5 мОм/360AN-MOSFET DSU007N04NA Платный пакет ДСУ007Н04НА ПОТЕРИ 40В 360А Donghai_DSU007N04NA_Datasheet_V1.0.pdf
5А, 500 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор B5N50 TO-251B Б5Н50 ТО-251Б 500В 5А Спецификация устройства D5N50&B5N50.pdf
200 В/11 мОм/110 А N-MOSFET DSN108N20N TO-3PN ДСН108Н20Н ТО-3ПН 200В 110А Donghai_DSN108N20N_Datasheet_V1.0.pdf
18А, 500 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор 18N50 TO-220C 18Н50 ТО-220С 500В 18А 英文版18N50技术规格书.pdf
180A 85V N-канальный режим улучшения MOSFET DSD040N08N3A TO-252B ДСД040Н08Н3А ТО-252Б 85В 180А Устройство+DSD040N08N3A+Спецификация+Ред.1.0.pdf
170 А, 100 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DSG030N10N3 TO-220C ДСГ030Н10Н3 ТО-220С 100 В 170А Donghai_DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf

Видео о продукте

  • Подпишитесь на нашу рассылку
  • будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу рассылку, чтобы получать обновления прямо на ваш почтовый ящик