5А, 500 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор B5N50 TO-251B

5А, 500 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор

1 Описание

Эти N-канальные улучшенные vdmosfets получены с помощью самовыравнивающейся планарной технологии, которая уменьшает потери проводимости, улучшает характеристики переключения и увеличивает лавинную энергию. Что соответствует стандарту RoHS.

2 особенности

● Быстрое переключение 

● Улучшенные возможности ESD.

● Низкое сопротивление (Rdson≤1,6 Ом). 

● Низкий заряд затвора (тип: 12,6 нКл). 

● Низкая емкость обратного переноса (тип: 4 пФ). 

● 100% испытание лавинной энергии одним импульсом 

● 100 % ΔVDS-тест.

3 приложения

● Используется в различных схемах переключения мощности для миниатюризации системы и повышения эффективности. 

● Схема выключателя питания электронного балласта и адаптера.

ВДСС	RDS(включен)(ТИП)	ИДЕНТИФИКАТОР
500В	1,4 Ом	5А