5A 500 V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET B5N50 TO-251B

5A 500 V N-kanaliga laiendusrežiimi võimsus MOSFET

1 Kirjeldus

Need N-kanaliga täiustatud vdmosfetid saadakse isejoondunud tasapinnalise tehnoloogia abil, mis vähendab juhtivuse kadu, parandab lülitusjõudlust ja suurendab laviini energiat. Mis vastab RoHS standardile.

2 Omadused

● Kiire ümberlülitamine 

● ESD täiustatud võime

● Madal takistus (Rdson≤1,6Ω) 

● Värava madal laetus (tüüp: 12,6 nC) 

● Madal pöördülekande mahtuvus (tüüp: 4pF) 

● 100% ühe impulsi laviini energia test 

● 100% ΔVDS test

3 Rakendused

● Kasutatakse mitmesugustes toitelülitusahelates süsteemi miniaturiseerimiseks ja suurema tõhususe tagamiseks. 

● Elektronliiteseadise ja adapteri toitelüliti ahel.

VDSS	RDS (sees) (TYP)	ID
500V	1,4Ω	5A