5A 500V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET B5N50 ถึง 251B

5A 500V N-Channel Enhance Mode Power MOSFET

1 คำอธิบาย

N-Channel เหล่านี้ได้รับการปรับปรุง VDMOSFETS ได้มาจากเทคโนโลยีระนาบที่ได้รับการจัดแนวด้วยตนเองซึ่งลดการสูญเสียการนำไฟฟ้าปรับปรุงประสิทธิภาพการสลับและเพิ่มพลังงานหิมะถล่ม ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน ROHS

2 คุณสมบัติ

●การสลับอย่างรวดเร็ว 

●ความสามารถที่ดีขึ้นของ ESD

●ความต้านทานต่ำ (rdson≤1.6Ω) 

●ประจุเกตต่ำ (ประเภท: 12.6NC) 

●ความสามารถในการถ่ายโอนแบบย้อนกลับต่ำ (ประเภท: 4PF) 

●การทดสอบพลังงานพัลส์อะเวียนเดี่ยว 100% 

●การทดสอบ 100% ΔVDS

3 แอปพลิเคชัน

●ใช้ในวงจรสวิตช์พลังงานที่หลากหลายสำหรับการย่อขนาดของระบบและประสิทธิภาพที่สูงขึ้น 

●วงจรสวิตช์ไฟของอิเล็กตรอนบัลลาสต์และอะแดปเตอร์