5A 500V N-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET B5N50 TO-251B

5A 500V N-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET พลังงาน

1 คำอธิบาย

vdmosfets ที่ปรับปรุงด้วย N-channel เหล่านี้ได้มาจากเทคโนโลยีระนาบแนวระนาบในตัว ซึ่งลดการสูญเสียการนำไฟฟ้า ปรับปรุงประสิทธิภาพการสลับ และเพิ่มพลังงานหิมะถล่ม ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน RoHS

2 คุณสมบัติ

● การสลับอย่างรวดเร็ว 

● ความสามารถที่ได้รับการปรับปรุง ESD

● ความต้านทานต่ำ (Rdson≤1.6Ω) 

● ค่าเกตต่ำ (ประเภท: 12.6nC) 

● ความจุการถ่ายโอนแบบย้อนกลับต่ำ (ประเภท: 4pF) 

● การทดสอบพลังงานหิมะถล่มพัลส์เดี่ยว 100% 

● การทดสอบ ΔVDS 100%

3 การใช้งาน

● ใช้ในวงจรสวิตชิ่งกำลังต่างๆ เพื่อการย่อขนาดระบบและประสิทธิภาพที่สูงขึ้น 

● วงจรสวิตช์เปิด/ปิดของบัลลาสต์อิเล็กตรอนและอะแดปเตอร์

วีดีเอสเอส	RDS (เปิด) (ประเภท)	บัตรประจำตัวประชาชน
500V	1.4Ω	5เอ