5A 500V N-ալիքի բարելավման ռեժիմ Power Mosfet B5N50 to-251B

5A 500V N-ալիքի ուժեղացման ռեժիմ Power Mosfet

1 Նկարագրություն

Այս N- հեռուստաընկերությունը բարելավված VDMosfets, ստացվում է ինքնահավասարեցած պլանի տեխնոլոգիայի միջոցով, որը նվազեցնում է անցկացման կորուստը, բարելավում է փոխարկումը կատարումը եւ բարձրացնում է ավալանշի էներգիան: Որը համաձայնեցնում է RoHS ստանդարտին:

2 առանձնահատկություններ

● արագ անցում 

● ESD բարելավված կարողություն

● Low ածր դիմադրություն (RDSON≤1.6ω) 

● Later ածր դարպասի գանձում (մուտք, 12.6NC) 

● Հակադարձ փոխանցման հզորացում (տպագիր, 4 հատ) 

● 100% միայնակ զարկերակային ավալանշի էներգիայի թեստ 

● 100% δvds թեստ

3 դիմում

● Օգտագործվում է տարբեր էլեկտրական անջատման միացում համակարգի մանրանկարչության եւ ավելի բարձր արդյունավետության համար: 

● Էլեկտրոնային բալաստի եւ ադապտերի էլեկտրական անջատիչ միացում: