5A 500V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET B5N50 TO-251B

5A 500V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET

1 Popis

Tieto N-kanálové vylepšené vdmosfety sa získavajú samo-zarovnanou planárnou technológiou, ktorá znižuje stratu vedenia, zlepšuje spínací výkon a zvyšuje lavínovú energiu. Čo je v súlade s normou RoHS.

2 Vlastnosti

● Rýchle prepínanie 

● Vylepšená schopnosť ESD

● Nízky odpor (Rdson≤1,6Ω) 

● Nízke nabitie brány (Typ: 12,6 nC) 

● Nízke kapacity spätného prenosu (Typ: 4pF) 

● 100% test lavínovej energie s jedným impulzom 

● 100 % test ΔVDS

3 Aplikácie

● Používa sa v rôznych výkonových spínacích obvodoch na miniaturizáciu systému a vyššiu účinnosť. 

● Obvod vypínača elektrónového predradníka a adaptéra.

VDSS	RDS (zapnuté) (TYP)	ID
500 V	1,4Ω	5A