5A 500V N-kanaal Verbeteringsmodus Vermogens-MOSFET B5N50 TO-251B

5A 500V N-kanaalverbeteringsmodus Vermogens-MOSFET

1 Beschrijving

Deze N-kanaal verbeterde vdmosfets worden verkregen door de zelfuitlijnende planaire technologie die het geleidingsverlies vermindert, de schakelprestaties verbetert en de lawine-energie vergroot. Welke in overeenstemming is met de RoHS-norm.

2 Kenmerken

● Snel schakelen 

● ESD verbeterde mogelijkheden

● Lage weerstand (Rdson≤1.6Ω) 

● Lage poortlading (typ: 12,6 nC) 

● Lage omgekeerde overdrachtscapaciteit (Typ: 4pF) 

● 100% lawine-energietest met enkele puls 

● 100% AVDS-test

3 toepassingen

● Gebruikt in verschillende stroomschakelcircuits voor systeemminiaturisatie en hogere efficiëntie. 

● Stroomschakelaarcircuit van elektronenballast en adapter.

VDSS	RDS(aan)（TYP)	Identiteitskaart
500V	1,4 Ω	5A