5A 500V N-kanalni način izboljšave MOSFET B5N50 TO-251B

5A 500V N-kanalni način izboljšave Power MOSFET

1 Opis

Ti N-kanalni izboljšani vdmosfeti so pridobljeni s samoporavnano planarno tehnologijo, ki zmanjša izgubo prevodnosti, izboljša preklopno zmogljivost in poveča energijo plazu. Kar je v skladu s standardom RoHS.

2 Lastnosti

● Hitro preklapljanje 

● Izboljšana zmogljivost ESD

● Nizek upor (Rdson≤1,6Ω) 

● Nizek naboj vrat (tip: 12,6 nC) 

● Nizka kapacitivnost povratnega prenosa (tip: 4pF) 

● 100 % preizkus energije plazovnega plazu z enim impulzom 

● 100% ΔVDS test

3 Aplikacije

● Uporablja se v različnih preklopnih tokokrogih za miniaturizacijo sistema in večjo učinkovitost. 

● Vezje električnega stikala elektronskega balasta in adapterja.

VDSS	RDS (vklopljeno)（TYP)	ID
500 V	1,4Ω	5A